[發(fā)明專利]復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810219443.4 | 申請日： | 2008-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN101407867A | 公開（公告）日： | 2009-04-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張新平;李大圣;熊志鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號： | C22C1/04 | 分類號： | C22C1/04;C22C1/08;C22C19/03 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李衛(wèi)東 |
| 地址： | 510640廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)合型 高強 記憶 合金 阻尼 材料 制備 方法 | ||
1.復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于包括如下步驟：
(1)按照鎳、鈦原子比為50～51％：49～50％，將純鎳粉和純鈦粉混合均勻；
(2)按照造孔劑占生坯重量百分數(shù)10～30％的比例，將其與步驟(1)所得的混合粉充分混合；
(3)將步驟(2)所得粉末在室溫下壓制成生坯；將壓制好的生坯放入惰性氣體保護下的加熱爐中預(yù)熱0.5～1.5小時，控制溫度在200～300℃，使造孔劑分解而去除；
(4)按梯級加熱方式升溫，將坯料以10～20℃/min的速率加熱至第一級梯度溫度700～800℃，保溫10～20分鐘；然后以10～20℃/min的速率加熱至第二級梯度溫度950～1050℃，保溫1～3小時后冷卻至室溫，制得孔隙均勻分布的多孔鎳鈦形狀記憶合金；
(5)用純鎂帶將金屬鎂或鎂合金與步驟(4)所得的多孔鎳鈦形狀記憶合金整體緊密包覆后置于燒結(jié)爐中組成立式無壓熔滲體系，熔滲后金屬鎂或鎂合金占復(fù)合材料體積的20～40％。
(6)將熔滲體系以10～30℃/min加熱到680～750℃，在惰性氣體保護下保溫熔滲1～3小時，使金屬鎂或鎂合金熔化后滲入多孔鎳鈦記憶合金孔隙中，制得復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所用純鈦粉平均粒徑均為48μm，純鎳粉平均粒徑均為57μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所述惰性氣體為氬氣，其純度高于99.99％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所述加熱爐為電加熱管式燒結(jié)爐。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所述造孔劑為經(jīng)過篩分后形貌規(guī)則的碳酸氫銨或尿素，粒徑為100～200、200～300、300～450、450～600或600～900μm中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所述金屬鎂的純度大于99.9％，所用鎂合金為AZ91D。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所述金屬鎂或鎂合金與步驟(4)所得的多孔鎳鈦形狀記憶合金在整體緊密包覆前還包括對其進行清洗，所述清洗是先用濃度5～10％的NH4Cl水溶液清除金屬表面氧化層，然后分別在丙酮和純水中進行超聲波清洗。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述復(fù)合型輕質(zhì)高強鎳鈦記憶合金基高阻尼材料制備方法，其特征在于所述金屬鎂或鎂合金位于鎳鈦記憶合金上部，形成立式熔滲結(jié)構(gòu)。
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