[發明專利]絕緣材料鍍膜方法及其結構

有效

• 申請號: 200810219345.0
• 申請日: 2008-11-24
• 公開（公告）號: CN101476124A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 朱德祥
• 申請（專利權）人: 番禺得意精密電子工業有限公司
• 主分類號: C23C28/02
• 分類號: C23C28/02;C23C18/31;C25D3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種絕緣材料鍍膜方法，其特征在于，包括：

(1).提供一絕緣本體，一第一表面和一第二表面相對設置于所述絕緣本體，多數 通孔貫穿所述第一表面和所述第二表面，所述絕緣本體包括一基體以及于所述基體的 所述第一表面上設有多數凸塊；用激光在所述第一表面規劃出至少一線路區域延伸至 所述凸塊的頂面；或由所述基體延伸多數懸臂，由每一所述懸臂與所述基體交界處設 有一凹槽，且所述第一表面部分位于所述懸臂，用激光在所述第一表面規劃出至少一 線路區域，所述線路區域至少部分位于所述懸臂；另用激光在所述通孔內壁規劃出連 接所述線路區域的多數鍍膜區域；

(2).將所述絕緣本體沿規劃的各所述線路區域和各所述鍍膜區域進行化學鍍，使 各所述線路區域分別沉積形成一第一金屬鍍層，以及各所述鍍膜區域分別沉積形成與 所述第一金屬鍍層相連通的一第二金屬鍍層；

(3).以一電源裝置導接選定的一所述線路區域上的所述第一金屬鍍層進行電鍍， 使所述第一金屬鍍層和所述第二金屬鍍層表面分別增加厚度；

(4).在所述凹槽處切斷，使所述懸臂和所述基體分離，或將所述凸塊從所述基體 去除，使所述凸塊和所述基體分離，使所述電源裝置導接的所述選定的線路區域上 的所述第一金屬鍍層分別中斷導通所述鍍膜區域上的所述第二金屬鍍層。

2.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(4)中，分離所述 基體與所述懸臂或所述凸塊后，任二所述鍍膜區域的所述第二金屬鍍層不相導通。

3.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(1)中，所述絕緣 本體于所述基體內設有多數孔洞，所述懸臂延伸至所述孔洞。

4.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：去除所述凸塊的方式為刮除。

5.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：去除所述凸塊的方式為研磨。

6.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：去除所述凸塊的方式為腐蝕。

7.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(1)中，所述絕緣 本體于所述第一表面凹設有多數電源接觸部，各所述電源接觸部設于所述線路區域 上。

8.如權利要求7所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(1)中，所述電源 接觸部設置為盲孔，在所述步驟(3)中，所述電源裝置置于所述盲孔內與所述步驟(2) 中沉積形成的所述第一金屬鍍層電性導通。

9.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，所述電源 裝置夾持所述線路區域在所述步驟(2)中沉積形成的所述第一金屬鍍層。

10.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(1)中，每一所述 通孔內壁設有多數斜面，任二所述斜面之間設有一垂直面。

11.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，所述第一 金屬鍍層和所述第二金屬鍍層分別由單一金屬元素組成。

12.如權利要求11所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：所述單一金屬元素為銅。

13.如權利要求1所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，所述第一 金屬鍍層和所述第二金屬鍍層分別由多層單一金屬元素疊合而成。

14.如權利要求13所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：所述第一金屬鍍層和所述第 二金屬鍍層分別至少由銅層和金層相疊成。

15.如權利要求14所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：所述銅層和所述金層之間設 有一鎳層。

16.如權利要求13所述的絕緣材料鍍膜方法，其特征在于：所述第一金屬鍍層和所述第 二金屬鍍層分別至少由銅層和鎳層相疊成。