[發明專利]一種金屬硅的冶金級物理提煉方法

無效

• 申請號: 200810219272.5
• 申請日: 2008-11-21
• 公開（公告）號: CN101428802A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 陳炳聰
• 申請（專利權）人: 儲科電子（上海）有限公司
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種金屬硅的冶金級物理提煉方法，其特征在于：包括有以下步驟；

第一步：原材料分類，用極性測量儀測量材料中的N/P屬性，初步確定原材料金屬硅中硼、磷的含量，以決定接下來的步驟中其他催化劑的用量；

第二步：清洗原材料，在高周波振動機中用鹽酸清洗原材料金屬硅表面雜質，然后用清水洗毛細孔，再以純水初步去除表面雜質；

第三步：吹干，在烘烤箱中把清洗過后的金屬硅烘干其上的水分；

第四步：預熱，在預熱器中將金屬硅加熱到一定的溫度，縮短加工時間；

第五步：熔化原材料金屬硅，在熔化爐中將金屬硅加熱至某一高溫并加入氧氣，在該溫度下，硅元素產生厭氧反應，而原材料中的鋁、鐵和鈣會和加入的氧氣發生氧化作用變成金屬氧化物而分離；

第六步：沉淀，在沉淀爐中將上述步驟中溶液與金屬氧化物的密度差，將該金屬氧化物去掉；

第七步：去雜質，將去掉金屬氧化物后硅溶液轉放入離子爐，利用該爐加熱到一定溫度后放入催化劑去除硅溶液中的鈦、銅、磷和硼元素；

第八步：暫存，將去除了各種雜質的硅溶液轉存入暫存爐中；

第九步；定向提純，將硅溶液轉入定向爐，提純出6N的金屬硅，并冷卻；

第十步：去皮，用切割機將冷卻后的金屬硅切割成成品；

第十一步：清洗，將切割后金屬硅成品清洗干凈；

第十二步：測量歐姆值，用歐姆測量儀測量金屬硅成品的歐姆值，檢測該成品是否合格；

第十三步：封存、包裝合格的金屬硅成品。

2、根據權利要求1所述的金屬硅的冶金級物理提煉方法，其特征在于：所述第四步中預熱溫度為700℃。

3、根據權利要求1所述的金屬硅的冶金級物理提煉方法，其特征在于：所述第五步熔化溫度為1700℃-2300℃。

4、根據權利要求1所述的金屬硅的冶金級物理提煉方法，其特征在于：所述第七步中，加熱溫度為3200℃。