[發明專利]一種恒流恒壓電路

有效

• 申請號: 200810218299.2
• 申請日: 2008-12-10
• 公開（公告）號: CN101477385A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 吳俊緯
• 申請（專利權）人: 廣州南科集成電子有限公司
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46;H05B33/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種恒流恒壓電路。

背景技術

目前，LED的應用越來越廣泛，用于日常室內和戶外照明的LED燈具也 正越來越普及。目前的LED驅動電路一般都是單獨設置穩流或穩壓電路，沒 有同時具有恒流及恒壓兩種功能的電路。圖1是一種現有的隔離式開關電源 穩壓電路，所謂“隔離式”是指變壓器的兩側的接地端是獨立的，這種電路 的電源輸出端的電壓雖可保持穩定，但是由于LED在高溫下長期工作后其導 通電壓會下降，因此如果LED兩端的電壓保持不變，則其工作電流會升高。 所以在穩壓電路的實際應用中，在使用一段時間后，常常會發生由于電流的 升高而造成LED被燒毀的現象，縮短使用壽命。圖2是一種現有的非隔離式 電源恒流電路，這種電路雖可保證輸出端的電流穩定，但是在多個負載并聯 的情形下，則會造成電流在各個支路內的不平均分布，以致于在一路LED燒 毀后，容易加速造成全部支路LED的燒毀。

“MOSFET”是英文“metal-oxide-semiconductor?field?effect?transistor” 的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，其原理是所有現代集成 電路芯片的基礎。一個耗盡型MOSFET器件由三個基本部分構成：源極(S)、 柵極(G)和漏極(D)。一個N-通道耗盡型MOS場效應管在源極及漏極之 間接近柵極表面，有一個與源漏同極性的淺層摻雜層將源極與漏極相連接。 當柵極與源極電壓為正時，其飽和導通電流也隨電壓增高而增大，此點與增 強型MOS場效應管相同。但是當柵極與源極同電位時，當漏極施以正壓時， 耗盡管先是經過電流急速上升的線性區，然后就進入恒流導通的飽和區，此 時的漏極電壓被稱作飽和電壓，漏極導通電流之大小與淺層摻雜層的濃度與 深度有關，一般濃度與深度越大則電流越大。當柵極與源極之間施以負電壓， 則通道可以被截止，導通電流為零，此時的柵極電壓被定義為開啟電壓，但 是如果通道濃度太濃、深度太深，則柵極將無法截斷通道電流。耗盡型MOS 管由于在柵極與源極電壓為零時，漏源極電流已呈恒流導通，這點導致其不 如增強型MOS管在邏輯應用上方便，所以迄未被工業界單獨做成器件來使 用。由于耗盡型MOS管在柵極電壓為零時已導通的特性及其在漏極電壓增加 時電流基本在飽和區直到漏極雪崩擊穿，故其可作為一個恒流源使用。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種同時具有 恒流及恒壓兩種功能的電路，該恒流恒壓電路結構簡單、效率高、功耗低、 節能，能夠延長負載的使用壽命。

本發明所采用的技術方案是：本發明包括整流電路、穩壓電路、負載， 交流電經所述整流電路整流后從所述穩壓電路的輸出端輸出變為恒壓的直流 電后流經所述負載，所述恒流恒壓電路還包括恒流源器件，所述恒流源器件 接于所述負載的輸出端與整個電路的接地端之間。

所述恒流源器件為耗盡型場效應晶體管。

所述耗盡型場效應晶體管的漏極為一接點，所述耗盡型場效應晶體管的 源極與柵極相短接構成另一接點。

所述負載包括至少一組相串聯的若干個LED。

每組所述LED均與一個所述恒流源器件相串聯，串聯后的若干組再并聯 接于所述穩壓電路的輸出端與所述接地端之間。

或者，各組所述LED并聯后再與一個所述恒流源器件相串聯，并接于所 述穩壓電路的輸出端與所述接地端之間。

所述穩壓電路是開關電源。

所述穩壓電路包括功率因數校正電路。

所述負載是直流供電的電子電路或直流電動機或高阻性電熱負載。

所述恒流恒壓電路還包括短路保護電路，所述短路保護電路接于交流電 源的輸入端與所述整流電路之間，所述整流電路采用橋式整流。