[發明專利]一種薄膜太陽能電池芯片修復方法及裝置

有效

• 申請號: 200810217274.0
• 申請日: 2008-11-05
• 公開（公告）號: CN101404305A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 高云峰;倪鵬玉
• 申請（專利權）人: 深圳市大族激光科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于太陽能電池領域，尤其涉及一種薄膜太陽能電池芯片修復方法及裝置。

背景技術

隨著現代工業的高速發展、技術快速的更新換代以及對能源的需求，現在能源結構正在發生著根本性的變革。傳統的能源：煤炭、石油、天然氣的使用量將在2020年-2040年到達高峰，而在2050年后將會逐漸枯竭。可再生能源(主要是太陽能)等替代能源從2000年開始迅猛發展，到2050年使用量將達到高峰。傳統太陽能電池是使用單晶硅或多晶硅薄片，其中硅材料應用較多，浪費嚴重，硅元素提純工藝復雜且成本太高。薄膜太陽能電池使用非晶硅或其他材料，硅元素量使用很少或不使用硅材料，所以基本無原料瓶頸，尤其是非晶硅薄膜太陽能電池，成本低且工藝成熟，所以發展很快，成為目前薄膜太陽能電池最成熟的產品之一。

如圖1所示，非晶硅薄膜太陽能電池是在低成本基板1(主要是玻璃)上沉積、濺射薄膜而成，這種非晶硅薄膜太陽能電池在基板1上共有三層：第一電極層2、非晶硅層(a-Si)3和后電極層4。非晶硅薄膜太陽能電池芯片的刻劃是通過激光來刻劃的，激光刻劃是根據這種非晶硅薄膜太陽能電池的制作工藝過程，分別在不同的工藝時段選用不同波長的激光設備進行刻劃，由于非晶硅薄膜太陽能電池共有三層，所以需要進行三次刻劃才能完成整個制作過程。

圖2A為在第一次刻劃完成后第一電極層2的平面刻劃示意圖，圖2B為在第一次刻劃完成后基板1和第一電極層2的截面結構示意圖，其中P21、P22、P2(n-1)、P2n分別為第一電極層2中的刻劃線，第一電極層2中的刻劃線可能會有沒完全刻斷的現象，如果沒有及時發現而流入生產工序中，則會造成次品或廢品而影響良品率，既降低了生產效率又造成浪費。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種薄膜太陽能電池芯片修復方法，旨在解決在薄膜太陽能電池芯片制造過程中，由于形成于基板上的電極層刻劃不足而影響良品率的問題。

本發明實施例是這樣實現的，一種薄膜太陽能電池芯片修復方法，所述方法包括以下步驟：

在第一電極層上一條或多條刻劃線的兩側施加預定的電壓，其中第一電極層為直接形成于太陽能電池芯片的基板之上的電極層；

持續施加電壓，并檢測回路中的電流值；

當檢測電流值之小于閾值時，輸出合格警示信號；

當檢測電流值大于閾值時，輸出不合格警示信號并繼續施加電壓直至檢測電流值小于閾值。

本發明實施例還提供了一種薄膜太陽能電池芯片修復裝置，所述裝置包括：

電源；

與所述電源正極連接的可導電的第一壓頭，所述第一壓頭帶有一個或多個探針，與第一電極層上的電極塊接觸；

與所述電源負極連接的可導電的第二壓頭，所述第二壓頭帶有一個或多個探針，與第一電極層上的電極塊接觸；

在修復時所述電源通過所述第一壓頭的探針與所述第二壓頭的探針在第一電極層上一條或多條刻劃線的兩側施加預定的電壓；所述第一電極層為形成于太陽能電池芯片的基板之上的電極層；

一與所述電源連接的檢測單元，用于檢測回路中的電流值，當檢測電流值小于閾值時，輸出合格警示信號；當檢測電流值大于閾值時，輸出不合格警示信號。

本發明實施例中，在直接形成于太陽能電池芯片的基板之上的第一電極層上一條或多條刻劃線的兩側施加電壓，由于在沒有刻斷或者沒有完全刻斷的地方形成短路，從而有較大的電流通過，短路之處擊穿開路，達到修復的目的，有效地提高了良品率。

附圖說明

圖1是現有技術提供的非晶硅薄膜太陽能電池的結構示意圖；

圖2A是在第一次刻劃完成后第一電極層的平面刻劃示意圖；

圖2B是在第一次刻劃完成后基板和第一電極層的截面結構示意圖；

圖3是本發明實施例提供的薄膜太陽能電池芯片修復方法的實現流程圖；

圖4A是本發明實施例提供的在一條或多條刻劃線的兩側施加正向直流電壓的示意圖；

圖4B是本發明實施例提供的在一條或多條刻劃線的兩側施加反向直流電壓的示意圖；

圖4C是本發明實施例提供的在一條或多條刻劃線的兩側施加交流電壓的示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。