[發(fā)明專利]一種延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命的系統(tǒng)及其方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810216665.0
• 申請日: 2008-09-28
• 公開（公告）號: CN101388647A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范振峰;尹紹剛
• 申請（專利權(quán)）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 王永文

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種延長振蕩器使用壽命的系統(tǒng)及其方法，尤其涉及一種延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命的系統(tǒng)及其方法。

背景技術(shù)

高穩(wěn)晶體振蕩器在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，包括有線通訊、無線通信、雷達(dá)、以及授時系統(tǒng)等領(lǐng)域。其主要用來產(chǎn)生或恢復(fù)本地時鐘源。由于晶體的特性，隨著使用時間增加，高穩(wěn)晶體振蕩器的輸出頻率會發(fā)生變化，這種現(xiàn)象表明晶體已經(jīng)開始老化，從而給系統(tǒng)帶來嚴(yán)重的影響。一旦高穩(wěn)晶體振蕩器輸出頻率超出其使用允許的范圍，系統(tǒng)就會發(fā)生運行異常，甚至完全不能運行。晶體的這種特性嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的使用壽命。為了避免這種情況發(fā)生，現(xiàn)在大多數(shù)的解決方法都是在前期進(jìn)行高溫老化，以減少老化性能對高穩(wěn)晶體振蕩器的影響，但是，這種解決方法又會帶來新的問題，如生產(chǎn)周期長，成本高等等。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)與發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)缺陷，提供一種延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命的系統(tǒng)及其方法，從而延長系統(tǒng)的使用壽命，同時縮短高穩(wěn)晶體振蕩器的生產(chǎn)周期，以及生產(chǎn)成本。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種延長高穩(wěn)晶體使用壽命的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括：高穩(wěn)晶體振蕩器、處理器模塊；所述高穩(wěn)晶體振蕩器與所述處理器模塊通訊連接；

所述高穩(wěn)晶體振蕩器，用于輸出高穩(wěn)晶體振蕩器基準(zhǔn)頻率；

所述處理器模塊，用以檢測記錄并實時輸出高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓，同時，根據(jù)高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓的大小，控制高穩(wěn)晶體振蕩器內(nèi)部可調(diào)參數(shù)，使高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓處于預(yù)警電壓范圍內(nèi)，以維持系統(tǒng)運行正常。

所述的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)還包括數(shù)模轉(zhuǎn)換器模塊；所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器模塊分別與所述高穩(wěn)晶體振蕩器、所述處理器模塊通訊連接；

所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器模塊，用于將高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓轉(zhuǎn)換為高穩(wěn)晶體振蕩器模擬控制電壓，并將所述高穩(wěn)晶體振蕩器模擬控制電壓傳輸給所述高穩(wěn)晶體振蕩器，為高穩(wěn)晶體振蕩器提供工作電壓。

一種延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命的方法，其包括以下步驟：

A、設(shè)定高穩(wěn)晶體振蕩器預(yù)警電壓；

B、實時檢測記錄高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓；

C、在所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓處于預(yù)警電壓范圍之外時，則控制高穩(wěn)晶體振蕩器內(nèi)部可調(diào)參數(shù)，使所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓恢復(fù)到預(yù)警電壓范圍內(nèi)，以維持系統(tǒng)運行正常。

所述的方法，其中，所述內(nèi)部可調(diào)參數(shù)包括：數(shù)控衰減器的衰減量。

所述的方法，其中，所述高穩(wěn)晶體振蕩器預(yù)警電壓為根據(jù)系統(tǒng)可控電壓的大小設(shè)定。

所述的方法，其中，所述步驟A還包括步驟：根據(jù)高穩(wěn)晶體振蕩器內(nèi)部可調(diào)參數(shù)的調(diào)節(jié)范圍設(shè)定高穩(wěn)晶體振蕩器老化調(diào)整值。

所述的方法，其中，所述步驟C還包括步驟：

在所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓呈增大趨勢時，則根據(jù)所述高穩(wěn)晶體振蕩器老化調(diào)整值的大小，增加高穩(wěn)晶體振蕩器內(nèi)部數(shù)控衰減器的衰減量。

所述的方法，其中，所述步驟C還包括步驟：在所述高穩(wěn)晶體振蕩器?數(shù)字控制電壓呈減小趨勢時，則根據(jù)所述高穩(wěn)晶體振蕩器老化調(diào)整值的大小，減小高穩(wěn)晶體振蕩器內(nèi)部數(shù)控衰減器的衰減量。

所述的方法，其中，所述步驟B之前還包括步驟：將所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓轉(zhuǎn)換為高穩(wěn)晶體振蕩器模擬控制電壓，并將所述高穩(wěn)晶體振蕩器模擬控制電壓傳輸于所述高穩(wěn)晶體振蕩器，為高穩(wěn)晶體振蕩器提供工作電壓。

所述的方法，其中，所述步驟C還包括步驟：在所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓處于所述預(yù)警電壓范圍之內(nèi)時，則進(jìn)行正常控制流程處理。

本發(fā)明所提供的一種延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命的系統(tǒng)及其方法，由于采用在所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓處于預(yù)警電壓范圍之外時，則控制高穩(wěn)晶體振蕩器內(nèi)部可調(diào)參數(shù)，使所述高穩(wěn)晶體振蕩器數(shù)字控制電壓恢復(fù)到預(yù)警電壓范圍內(nèi)，以維持系統(tǒng)運行正常的方式。有效地解決了高穩(wěn)晶體振蕩器由于老化引起的失效問題，大大地延長高穩(wěn)晶體振蕩器的使用壽命，同時，該方法還避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用將晶體進(jìn)行高溫老化以延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命所帶來的生產(chǎn)周期長、成本高的問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的延長高穩(wěn)晶體振蕩器使用壽命的方法流程圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的各較佳實施例進(jìn)行更為詳細(xì)的描述。