[發明專利]一種測試粉體材料電導率的方法

有效

• 申請號: 200810216653.8
• 申請日: 2008-09-28
• 公開（公告）號: CN101685115A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 陸衛忠;陳國營;錢春秀
• 申請（專利權）人: 上海比亞迪有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種測試粉體材料離子電導率的方法，其特征在于，將兩份等重量的 粉體材料壓成片狀，其中一份片狀粉體材料兩側壓覆金屬粉末，通過直流分 流法測試其電子電阻；另一份片狀粉體材料兩側壓覆二硫化鈦粉末，再通過 交流阻抗法測試其總電阻，通過計算即可得粉體材料離子電導率；所述交流 阻抗法測試的片狀粉體材料總電阻等效于片狀粉體材料的電子電阻與離子 電阻的并聯總電阻，根據并聯電阻公式1/R_e+1/R_i＝1/R_總，可計算獲得離子電 阻，再根據電阻率公式κ＝D/R_iS，計算可得離子電導率，其中，κ為離子電 導率，R_e為電子電阻，R_i為離子電阻，R_總為總電阻，D為壓片厚度，S為 壓片面積；并且所述片狀粉體材料總電阻的數值取交流阻抗法低頻10^-3～ 10^-1Hz時測試的數據結果。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據能斯特一愛因斯坦方 程Λ_m＝z²F²D′/RT，可以計算出擴散系數D′＝Λ_mRT/z²F²，其中，Λ_m＝κ/c， c＝(ηm/M)/r²D，c為離子濃度，η粉體材料中離子的質量分數，m粉體質 量，M離子的摩爾質量，r為壓片半徑，κ為離子電導率，Λ_m為摩爾離子電 導率，D為壓片厚度，z為核電荷數，F為法拉第常數，R為氣體常數，T 為熱力學溫度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬粉末電導率為大 于1×10⁰S/cm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬粉末選自銅粉、 銀粉、銀漿、金粉、鈦粉、鉑粉中的一種或者多種。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述片狀為圓形狀，壓片 過程包括預壓成型，撒金屬粉末后壓實，及最后真空包裝壓成。