[發(fā)明專利]碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810216086.6 | 申請日: | 2008-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101671442A | 公開(公告)日: | 2010-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程群峰;王佳平;姜開利;溫佳佳;范守善 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | C08J3/20 | 分類號: | C08J3/20;C08J3/24;C08L101/00;C08K3/04;C08F2/44 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀區(qū)清華園1*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 陣列 復(fù)合材料 制備 方法 | ||
1.一種碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其包括以下步驟:
提供一碳納米管陣列;
將碳納米管陣列沿碳納米管延伸方向的兩端分別固定于兩個基板上;
提供一高分子前驅(qū)體溶液;
采用該高分子前驅(qū)體溶液浸潤上述碳納米管陣列,形成一高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體;以及
固化高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述碳納米管陣列形成于一基底上,碳納米管陣列具有一第一端及與第一端相對的第二端,第二端與基底連接。
3.如權(quán)利要求2所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,將碳納米管陣列沿碳納米管延伸方向的兩端分別固定于兩個基板上的方法包括以下步驟:提供一第一基板與一第二基板;分別涂敷粘結(jié)劑于第一基板和第二基板的表面,形成一第一粘結(jié)劑層及一第二粘結(jié)劑層;將碳納米管陣列的第一端通過第一粘結(jié)劑層固定于第一基板上;將碳納米管陣列的第二端通過第二粘結(jié)劑層固定于第二基板上。
4.如權(quán)利要求3所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述的將碳納米管陣列的第二端通過第二粘結(jié)劑層固定于第二基板的方法為將碳納米管陣列的基底與第二基板上的第二粘結(jié)劑層接觸,使碳納米管陣列的第二端通過基底固定于第二基板上。
5.如權(quán)利要求3所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述的將碳納米管陣列的第二端通過粘結(jié)劑固定于第二基板的方法包括以下步驟:采用機(jī)械研磨、化學(xué)腐蝕或直接揭除等方法去除基底;將碳納米管陣列的第二端與第二基板上的第二粘結(jié)劑層接觸,使碳納米管陣列的第二端固定于第二基板上。
6.如權(quán)利要求3所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,將碳納米管陣列沿碳納米管延伸方向的兩端固定于兩個基板上之后,進(jìn)一步包括一將兩個基板封裝形成一模具的步驟。
7.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述的高分子前驅(qū)體溶液為液態(tài)的高分子材料、高分子材料熔化形成的液體、高分子材料溶于溶劑中形成的溶液或高分子材料的單體與催化劑混合形成的液體。
8.如權(quán)利要求7所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述的高分子材料前驅(qū)體溶液的粘度小于1帕·秒。
9.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述固化高分子前驅(qū)體溶液之前,進(jìn)一步包括一對高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體真空處理的步驟。
10.如權(quán)利要求9所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述的對高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體真空處理的方法包括以下步驟:將高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體放入一密閉真空室中;對上述真空室抽真空,高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體中有氣泡排出;當(dāng)高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體中停止排出氣泡時,停止抽真空,保持10-4帕-10-6帕的真空度10分鐘-30分鐘。
11.如權(quán)利要求9所述的碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述的固化高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體的方法包括以下步驟:將真空處理后的高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體在80℃-100℃溫度下加熱1小時-30小時;在120℃-300℃溫度下加熱3小時-20小時后;冷卻至室溫。
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