[發(fā)明專利]具有連接裝置和至少一個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件的結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810215743.5
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN101409276A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·奧古斯丁;C·格布爾
• 申請（專利權(quán)）人: 塞米克朗電子有限及兩合公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 趙 冰

1.一種結(jié)構(gòu)，具有與至少一個(gè)半導(dǎo)體元件(3a/b，4，5)導(dǎo)電連接的連接裝置(1)并具有填充物(8)，其中所述連接裝置(1)被實(shí)現(xiàn)為至少包含一個(gè)絕緣薄膜(14)和兩個(gè)導(dǎo)電薄膜(10，12)的復(fù)合薄膜，這個(gè)復(fù)合薄膜具有層結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電薄膜(10/12)與絕緣薄膜(14)交替排列，并且至少一個(gè)導(dǎo)電薄膜被構(gòu)造(18)從而形成導(dǎo)電線路(100，120)，其中在相應(yīng)導(dǎo)電薄膜(10，12)中的至少一個(gè)凹槽(60/62/64/66)被分配給至少一個(gè)半導(dǎo)體元件(3/4/5)，并且所述至少一個(gè)凹槽(6)至少部分地位于導(dǎo)電薄膜(10/12)被半導(dǎo)體元件所覆蓋的區(qū)域中，所述凹槽具有最大為相應(yīng)半導(dǎo)體元件面積25％的面積，并且其中填充物(8)位于連接裝置(1)與至少一個(gè)半導(dǎo)體元件(3a/b)之間。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)半導(dǎo)體元件被設(shè)計(jì)為功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/b)或驅(qū)動(dòng)組件(4，5)。

3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中第一個(gè)導(dǎo)電薄膜具有凸起(16a/b)，并且其中至少一個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/b)借助于材料一體或力耦合的連接與所述凸起(16a)導(dǎo)電連接。

4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)組件(4，5)借助于材料一體方式的粘合連接(9)與第二個(gè)導(dǎo)電薄膜(12)相連接。

5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)凹槽被設(shè)計(jì)成圓柱形和/或L形和/或十字形。

6.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述凹槽以其面積的一部分可見的方式從相應(yīng)的半導(dǎo)體元件下面伸出。

7.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述凹槽的整個(gè)面積被設(shè)置在相應(yīng)半導(dǎo)體元件下方并位于其中央。

8.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述凹槽具有導(dǎo)電薄膜(10，12)厚度的20％至100％之間的深度。

9.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所有對(duì)應(yīng)于一個(gè)半導(dǎo)體元件的凹槽的面積小于此半導(dǎo)體元件面積的50％。