[發明專利]電感/變壓器及其制作方法有效
| 申請號: | 200810215672.9 | 申請日: | 2008-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101452761A | 公開(公告)日: | 2009-06-10 |
| 發明(設計)人: | 陳升佑;曾國育 | 申請(專利權)人: | 絡達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F41/00 | 分類號: | H01F41/00;H01F30/06;H01F27/36 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 梁 揮;祁建國 |
| 地址: | 臺灣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電感 變壓器 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明有關于一種電感/變壓器及其制作方法,尤其設計一種主要以一模 擬器對電感/變壓器的電感值、品質因數及共振頻率進行模擬的電感/變壓器的 制作方法及根據該制作方法制造的電感/變壓器。
背景技術
隨著無線通訊裝置的廣泛使用,使得業界不斷對射頻集成電路(RFIC)的設 計及制造進行改進,例如縮小射頻集成電路的面積并提高產品成品率等。射頻 集成電路內部除了晶體管的使用之外,往往還存在有各種不同的被動元件,尤 其以電感為最常使用的被動元件,例如射頻集成電路內部的過濾器(filter)、放 大器等器件都必須使用到電感。
電感本身的品質因數(Q值,qualityfactor)、電感值及共振頻率皆會對電路 的設計及制作造成影響,例如具有高Q值的電感可以提供電路較好的特性, 而電感的共振頻率則會對電感值及Q值造成影響。因此當電路上有使用到電 感時,設計者必須依照電路的需求而將電感的Q值、電感值及共振頻率限制 在一特定的范圍之內。
現有技術中,電感真正的Q值、電感值及共振頻率往往是以實際測量的 方式取得,例如依照設計者本身的經驗制造大量不同的電感,并對制造的電感 進行電性測量及分析,以取得電感實際的Q值、電感值及共振頻率,而后再 依據實際測量的電感的Q值、電感值及共振頻率選擇適當的電感。
通過上述的方式雖然可以取得電感真正的Q值、電感值及共振頻率,但 是大量的制作電感并依序進行測量不僅會造成制造時間的增加,同時亦會提高 制造的成本。此外,為了使得電感可以提供電路較好的特性,往往會通過電感 內金屬層厚度的增加以提高電感的Q值。然而當所需金屬層厚度太大時,則 會造成無法以一般邏輯電路的制造方式進行電感的設置。
發明內容
本發明的主要目的,在于提供一種電感/變壓器的制作方法,主要以模擬 器對電感/變壓器的電感值、品質因數及共振頻率進行分析,并合成產生至少 一組第一導電層及導電層的面積、導電層數、線寬、圈數或線距,以控制第一 導電層及導電層的厚度小于1微米。
本發明的次要目的,在于提供一種電感/變壓器的制作方法,主要是以蒙 地卡羅模擬法(Monte?Carlo?Approach)對實際制作的電感/變壓器進行工藝變異 統計分析,并以工藝變異統計分析的結果對幾何尺寸進行調整以提高制造的成 品率。
本發明的又一目的,在于提供一種電感/變壓器,其中電感/變壓器的第一 導電層及導電層的厚度皆小于1微米,并可以一般邏輯電路的工藝完成電感/ 變壓器的設置。
本發明的又一目的,在于提供一種電感/變壓器,其中電感/變壓器的基底 上設置有一遮蔽單元,借此將可有效降低基板損失(Substrate?loss)。
本發明的又一目的,在于提供一種電感/變壓器,可通過最經濟通用的邏 輯電路工藝來整合射頻及高密度數字電路并成為系統單芯片(SoC,System?on Chip)。
本發明的又一目的,在于提供一種電感/變壓器,可針對半導體工藝變異、 封裝材料變異及系統級封裝(SiP,System?in?Package)中電感/變壓器所在的硅芯 片上方層疊設有其他硅芯片的情況,進行工藝變異分析以產生一工藝變異分析 的結果。
為實現上述目的,本發明提供一種電感/變壓器的制作方法,電感/變壓器 包括有至少一導電層及一第一導電層的層疊,其中電感/變壓器的制作方法包 括有以下步驟:輸入電感/變壓器的電感值、品質因數及共振頻率至一模擬器; 模擬器對電感/變壓器的電感值、品質因數及共振頻率進行分析,并合成產生 至少一組第一導電層及導電層的面積、導電層數、線寬、圈數或線距;依據合 成產生的面積、導電層數、線寬、圈數或線距,制作電感/變壓器;以一蒙地 卡羅模擬法(Monte?Carlo?Approach)對制作的電感/變壓器進行工藝變異統計分 析,并產生一工藝變異統計分析的結果;及依據工藝變異統計分析的結果,調 整工藝中第一導電層及導電層的面積、導電層數、線寬、圈數或線距。
此外,本發明尚提供一種電感/變壓器,主要包括有:一基板;至少一導 電層,設置于基板上;及一第一導電層,以層疊方式設置在導電層上,且導電 層及第一導電層的厚度皆小于1微米。
為使能更進一步了解本發明的特征及技術內容,請參閱以下有關本發明的 詳細說明與附圖,然而所附附圖僅提供參考與說明,并非用來對本發明加以限 制。
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