[發(fā)明專利]有機金屬化合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810215480.8
• 申請日: 2008-06-05
• 公開（公告）號: CN101348900A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D·V·舍奈－卡特喀特;H·李;王清民
• 申請（專利權(quán)）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 沙永生

1.在基材上形成含金屬的層的方法，該方法包括：在氣相沉積反應(yīng)器中提 供一種基材；將氣體形式的雜配基甲脒鹽化合物傳輸?shù)剿龇磻?yīng)器；然后在基 材上沉積含金屬的膜；其中雜配基甲脒鹽化合物的化學(xué)式為 (R¹NC(H)NR²)_nM^+mL¹_(m-n)L²_p，其中R¹和R²獨立地選自H，(C₁-C₆)烷基，(C₂-C₆) 烯基，(C₂-C₆)炔基，(C₃-C₈)環(huán)烷基，二烷基氨基烷基，單烷基氨基，二烷基氨 基，二(甲硅烷基-烷基)氨基，二(烷基-甲硅烷基)氨基，二甲硅烷基氨基，烷基 烷氧基，烷氧基烷基和芳基；M選自鑭系金屬、Nb、W、Mn、Ni、Ru、Rh、 Pd、Ir和Pt；L¹＝陰離子配體；L²＝中性配體；m＝M的化合價；n＝1-6；p＝0-3， 其中m大于n。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鑭系金屬是La。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，L¹選自氫化物，鹵化物，疊 氮化物，烷基，烯基，炔基，氨基，烷基氨基，二烷基氨基，二(甲硅烷基取 代的-烷基)氨基，二甲硅烷基氨基，二(烷基取代的-甲硅烷基)氨基，二烷基氨 基烷基，肼基，膦基，腈，烷氧基，二烷基氨基烷氧基，烷氧基烷基二烷基氨 基，甲硅烷氧基，二酮酯，環(huán)戊二烯基，甲硅烷基，吡唑鹽基，胍鹽基，磷酸 胍鹽基，脒鹽基和磷酸脒鹽基。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，L¹選自環(huán)戊二烯基、二(C₁-C₁₀) 烷基氨基、脒鹽基、和(C₁-C₁₀)烷氧基。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，L²選自CO，NO，烯烴，二 烯烴，三烯烴，炔和芳族化合物。

6.沉積膜的方法，該方法包括以下步驟：在氣相沉積反應(yīng)器中提供基材； 將作為第一前體的氣體形式的雜配基甲脒鹽化合物傳輸?shù)椒磻?yīng)器；使得第一前 體化合物被化學(xué)吸附到基材的表面上；從反應(yīng)器中除去任何未化學(xué)吸附的第一 前體化合物；將氣體形式的第二前體傳輸?shù)剿龇磻?yīng)器；使第一和第二前體反 應(yīng)，在基材上形成膜；除去任何未反應(yīng)的第二前體，其中所述雜配基甲脒鹽化 合物的化學(xué)式為(R¹NC(H)NR²)_nM^+mL¹_(m-n)L²_p其中R¹和R²獨立地選自H，(C₁-C₆) 烷基，(C₂-C₆)烯基，(C₂-C₆)炔基，(C₃-C₈)環(huán)烷基，二烷基氨基烷基，單烷基氨 基，二烷基氨基，二(甲硅烷基取代的烷基)氨基，二(烷基取代的甲硅烷基)氨 基，二甲硅烷基氨基，烷基烷氧基，烷氧基烷基和芳基；M選自鑭系金屬、 Nb、W、Mn、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt；L¹＝陰離子配體；L²＝中性配體；m＝M 的化合價；n＝1-6；p＝0-3，其中m大于n。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述鑭系金屬是La。