[發明專利]陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板有效
| 申請號: | 200810215309.7 | 申請日: | 2008-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN101436602A | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發明(設計)人: | 張鐘雄 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;羅延紅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 具有 顯示 面板 | ||
技術領域
本發明涉及一種陣列基板和一種具有該陣列基板的顯示面板。更具體地 講,本發明涉及一種具有提高的開口率和提高的透光率的陣列基板和一種具 有該陣列基板的顯示面板。
背景技術
為了在液晶顯示(LCD)裝置中實現寬的視角,已經開發了板內切換(IPS) 模式LCD裝置和邊緣場切換(FFS)模式LCD裝置。在IPS模式LCD裝置中, 像素電極和共電極形成在單個基板上,使得形成在這兩個電極之間的水平電 場(或橫向電場)可以控制液晶指向矢。在IPS模式LCD裝置中,液晶分子在 與基板的取向層基本平行的平面內旋轉。因此,當觀眾觀看時,折射指數各 向異性的差別小,當從剖視圖來看時,液晶層包含具有彼此相反的兩個旋轉 方向的液晶分子,這就補償了光的相差,從而實現寬的視角。
FFS模式LCD裝置使用橫向電場,在利用橫向電場來使液晶分子取向的 方式方面,FFS模式LCD裝置與IPS模式LCD基本相同。然而,在FFS模 式LCD裝置中,像素電極和共電極形成在不同的層上,從而FFS模式LCD 裝置既利用水平電場又利用垂直電場來使液晶分子取向。
FFS模式LCD裝置利用垂直電場來使液晶分子取向,使得FFS模式LCD 裝置的透光率優于IPS模式LCD裝置的透光率。此外,FFS模式LCD裝置 的液晶分子沿基本水平的方向移動,從而FFS模式LCD裝置的視角與IPS模 式LCD裝置的視角基本相同。此外,FFS模式LCD裝置的開口率優于IPS 模式LCD裝置的開口率。
發明內容
本發明提供一種具有提高的開口率和提高的透光率的陣列基板。
本發明還提供一種具有上述陣列基板的顯示面板。
在本發明的一方面,陣列基板包括柵極線、數據線、多個共電極、屏蔽 電極和像素電極。柵極線在基礎基板上沿第一方向延伸。數據線沿與第一方 向交叉的第二方向延伸。共電極形成在基礎基板的多個像素區域中。共電極 彼此分開。屏蔽電極形成在數據線下方,并形成在彼此相鄰的像素區域中形 成的共電極之間。屏蔽電極接收與施加到共電極的電壓相同的電壓。像素電 極與共電極疊置。像素電極具有多個形成在其上的開口。
在本發明的另一方面,顯示面板包括陣列基板和相對基板。陣列基板包 括柵極線、數據線、多個共電極、屏蔽電極和像素電極。柵極線在基礎基板 上沿第一方向延伸。數據線沿與第一方向交叉的第二方向延伸。共電極形成 在基礎基板的多個像素區域中。共電極彼此分開。屏蔽電極形成在數據線下 方,并形成在彼此相鄰的像素區域中形成的共電極之間。屏蔽電極接收與施 加到共電極的電壓相同的電壓。像素電極與共電極疊置。像素電極具有多個 形成在其上的開口。相對基板結合到陣列基板。
根據陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板,共電極圖案的電場可以防 止像素電極和數據線之間的耦合,從而可以將像素電極和數據線之間的距離 最小化,因此可以提高開口率和透光率。
附圖說明
通過參考下面的結合附圖考慮時的詳細描述,本發明的上面的和其它優 點將容易變得明顯,其中:
圖1是示出根據本發明一個實施例的顯示面板的平面圖;
圖2是沿圖1中的I-I′線截取的剖視圖;
圖3A至圖3G是示出制造圖2中的陣列基板的方法的剖視圖和平面圖;
圖4是示出根據本發明另一實施例的陣列基板的平面圖;
圖5是沿圖4中的II-II′線截取的剖視圖;
圖6是示出根據本發明又一實施例的陣列基板的平面圖;
圖7是沿圖6中的III-III′線截取的剖視圖;
圖8A至圖8C是示出根據本發明實施例制造的樣品的顯示面板的剖視 圖;
圖8D是示出根據傳統技術的顯示面板的剖視圖。
具體實施方式
下文中,參照示出了本發明實施例的附圖來更充分地描述本發明。然而, 本發明可以以許多不同的形式來實施,并不應該被解釋為限于這里闡述的實 施例。相反,提供這些實施例使得本公開將是徹底和完整的,并將把本發明 的范圍充分地傳達給本領域的技術人員。在附圖中,為了清晰起見,可夸大 層和區域的尺寸和相對尺寸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





