[發明專利]液浸曝光用抗蝕劑組合物及用其生產半導體器件的方法

有效

• 申請號: 200810215302.5
• 申請日: 2008-09-01
• 公開（公告）號: CN101666977A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 野崎耕司;小澤美和
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G03F7/075
• 分類號: G03F7/075;G03F7/004;G03F7/00;H01L21/027
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 張龍哺;陳 晨

1.一種制造半導體器件的方法，其包括：

在工件上形成液浸曝光用抗蝕劑組合物的抗蝕膜，其中所述工件為絕緣中 間層的表面，該絕緣中間層的介電常數為2.7或更低，該抗蝕劑組合物包括：

基體樹脂，該基體樹脂通過酸轉化為堿溶性的，和

具有含硅側鏈的樹脂，該樹脂能通過酸轉化為堿溶性的，其中硅的含量 相對于基體樹脂和具有含硅側鏈的樹脂的總量為1wt％或更低；

通過液浸曝光技術采用曝光光線照射該抗蝕膜；

使該抗蝕膜顯影從而形成抗蝕圖案；和

通過作為掩模的抗蝕圖案蝕刻該工件從而將該圖案轉移至工件上。

2.如權利要求1所述的方法，其中該絕緣中間層為多孔硅石或氟化樹脂。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述具有含硅側鏈的樹脂包括：

具有含硅側鏈并由通式(1)表示的丙烯酸單元：

通式(1)

其中X代表[雙(三甲基硅氧基)甲基甲硅烷基]甲基；五甲基二硅氧烷基丙 基；三(三甲基硅氧基)甲硅烷基甲基；三(三甲基硅氧基)甲硅烷基丙基和 以下結構式(2)中的一個：

結構式(2)

其中R相同或不同，代表具有5個或更少碳原子的直鏈、支鏈和環烷基中 的任一種。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述具有含硅側鏈的樹脂為丙烯酸樹 脂。

5.根據權利要求3所述的方法，其中由通式(1)表示的丙烯酸單元還包 括：

與酸具有反應性的脂環基；和

與酸具有反應性的內酯基。

6.根據權利要求5所述的方法，其中與酸具有反應性的脂環基為2-烷基-2- 金剛烷基。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述具有含硅側鏈的樹脂是通過具有 堿可溶基團的單體與具有含硅側鏈的單體反應而合成的。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述基體樹脂為丙烯酸樹脂。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述丙烯酸樹脂具有與酸有反應性的 脂環基。

10.根據權利要求1所述的方法，其中相對于100重量份的基體樹脂，所 述具有含硅側鏈的樹脂的含量為0.1-10重量份。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：酸產生劑。