[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810215180.X
• 申請日: 2008-09-10
• 公開（公告）號: CN101431103A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中宏幸
• 申請（專利權(quán)）人: 沖電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

在擴(kuò)散有第1導(dǎo)電型雜質(zhì)的半導(dǎo)體層上形成對元件形成區(qū)域進(jìn)行包 圍的元件分離層，在上述元件分離層的內(nèi)側(cè)的從上述元件分離層隔開的 位置上形成局部絕緣層的工序；

在形成上述元件分離層和局部絕緣層之后，在上述局部絕緣層的一 側(cè)與上述元件分離層之間、以及與上述局部絕緣層的另一側(cè)相鄰的區(qū)域 上的上述半導(dǎo)體層中，以低濃度注入與上述第1導(dǎo)電型為相反型的第2 導(dǎo)電型雜質(zhì)，形成低濃度注入層的工序；

在形成上述低濃度注入層之后，在上述低濃度注入層上的與上述局 部絕緣層的另一側(cè)相鄰的區(qū)域上，形成膜厚比上述局部絕緣層的一半膜 厚薄的第2柵極絕緣膜的工序；

在形成上述第2柵極絕緣膜之后，在上述半導(dǎo)體層上形成與上述第2 柵極絕緣膜連接的、膜厚比上述第2柵極絕緣膜薄的第1柵極絕緣膜的 工序；

在形成上述第1柵極絕緣膜之后，在上述第1柵極絕緣膜和上述第2 柵極絕緣膜上以及上述局部絕緣層上形成柵電極的工序；

在形成上述柵電極之后，通過熱處理使注入到上述低濃度注入層中 的第2導(dǎo)電型雜質(zhì)擴(kuò)散，在上述局部絕緣層的一側(cè)與上述元件分離層之 間的區(qū)域下方、上述局部絕緣層下方以及上述柵電極下方的上述半導(dǎo)體 層上形成低濃度擴(kuò)散層的工序；以及

在形成上述低濃度擴(kuò)散層之后，在上述局部絕緣層一側(cè)的上述低濃 度的擴(kuò)散層以及與上述柵電極的上述局部絕緣層的相反側(cè)相鄰的源極層 的形成區(qū)域的半導(dǎo)體層中，以高于上述低濃度擴(kuò)散層的濃度使上述第2 導(dǎo)電型雜質(zhì)擴(kuò)散來形成漏極層和源極層的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在將 上述局部絕緣層的另一側(cè)即上述源極層側(cè)的端部與上述第2柵極絕緣膜 的上述源極層側(cè)的端部之間的距離作為步長(Ls)，將上述局部絕緣層的 上述源極層側(cè)的端部與上述低濃度擴(kuò)散層的上述源極層側(cè)的端部之間的 距離作為偏移長度(Lo)時，

上述步長Ls在0.3μm以上、1.1μm以下的范圍內(nèi)，并且從上述偏移 長度(Lo)中減去上述步長(Ls)所得的差的長度(ΔL)在-0.2μm以 上、0.6μm以下的范圍內(nèi)。