[發明專利]溫度檢測電路

無效

• 申請號: 200810214960.2
• 申請日: 2008-08-29
• 公開（公告）號: CN101660953A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 陳建如
• 申請（專利權）人: 碩頡科技股份有限公司
• 主分類號: G01K7/01
• 分類號: G01K7/01;G01K1/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 梁愛榮

1.一種溫度檢測電路，其特征在于，包括：

一能隙參考電壓產生器，用以產生一參考電壓與一第一參考電流；以及

一比較模塊，根據該第一參考電流產生一檢測電壓，并比較該參考電壓與該檢測電壓以輸出一停機信號，

其中該停機信號對應于一特定溫度。

2.如權利要求1所述的溫度檢測電路，其特征在于，該能隙參考電壓產生器包括：

一第一電流源，用以產生一第二參考電流；以及

一第二電流源，耦接于該第一電流源，并根據該第二參考電流產生該第一參考電流；

其中，該能隙參考電壓產生器根據該第二參考電流產生該參考電壓。

3.如權利要求2所述的溫度檢測電路，其特征在于，該比較模塊包括：

一溫度感測電阻，耦接于該第二電流源與一接地端之間，其中該溫度感測電阻與該第二電流源的一第一共享節點產生該檢測電壓；以及

一比較器，耦接于該能隙參考電壓產生器的輸出與該第一共享節點，用以比較該參考電壓與該檢測電壓以輸出該停機信號。

4.如權利要求3所述的溫度檢測電路，其特征在于，該溫度感測電阻具有一正溫度系數。

5.如權利要求2所述的溫度檢測電路，其特征在于，該能隙參考電壓產生器還包括：

一能隙參考電路，耦接于該第一電流源與該接地端之間，用以產生一第一節點電壓與一第二節點電壓；以及

一運算放大器，耦接于該能隙參考電路并根據該第一節點電壓與該第二節點電壓輸出一調整電壓至該第一電流源以調整該第二參考電流。

6.如權利要求5所述的溫度檢測電路，其特征在于，該運算放大器包括：

一第三電流源，耦接于該第一電流源，并根據該第二參考電流產生一第三參考電流；

一差動放大器，耦接于該第三電流源與該接地端之間，并根據該第一節點電壓與該第二節點電壓輸出一差動電壓；以及

一輸出級電路，耦接于該差動放大器，并根據該差動電壓輸出該調整電壓至該第一、二以及第三電流源以調整該第二、一以及第三參考電流。

7.如權利要求6所述的溫度檢測電路，其特征在于，該輸出級電路包括：

一PMOS晶體管，該PMOS晶體管的一端耦接于一電壓源，該PMOS晶體管的柵極耦接該第一電流源以產生對應于該第二參考電流的一第四參考電流；以及

一NMOS晶體管，耦接于該PMOS晶體管的另一端與該接地端之間，且該NMOS晶體管的柵極耦接于該差動電壓，

其中，該PMOS晶體管與該NMOS晶體管的一第二共享節點耦接于該PMOS晶體管的柵極，且該第二共享節點輸出該調整電壓。

8.如權利要求5所述的溫度檢測電路，其特征在于，該能隙參考電壓產生器還包括：

一PMOS晶體管，耦接于一電壓源與一電阻之間，且該PMOS晶體管的柵極耦接于該第一電流源；以及

一雙極性晶體管，耦接于該電阻的另一端與該接地端之間，且該雙極性晶體管的基極耦接于該接地端，

其中，該電阻與該PMOS晶體管的一第二共享節點輸出該參考電壓。

9.如權利要求8所述的溫度檢測電路，其特征在于，該雙極性晶體管為一PNP雙極性晶體管。

10.如權利要求5所述的溫度檢測電路，其特征在于，該能隙參考電路包括：

一第一電阻，耦接于該第一電流源與一第一雙極性晶體管之間，且該第一雙極性晶體管的另一端與基極皆耦接于該接地端；以及

一第二電阻，與一第三電阻串聯耦接于該第一電流源與一第二雙極性晶體管之間，且該第二雙極性晶體管的另一端與基極皆耦接于該接地端，

其中，該第一電阻與該第一雙極性晶體管的一第二共享節點輸出該第一節點電壓，該第二電阻與該第二雙極性晶體管的一第三共享節點輸出該第二節點電壓。

11.如權利要求10所述的溫度檢測電路，其特征在于，該第一雙極性晶體管與該第二雙極性晶體管皆為一PNP雙極性晶體管。

12.如權利要求2所述的溫度檢測電路，其特征在于，該第一電流源包括一第一PMOS晶體管，該第二電流源包括一第二PMOS晶體管，且該第一PMOS晶體管與該第二PMOS晶體管的柵極相互耦接以形成一電流鏡。