[發明專利]能夠切換操作模式的半導體器件有效
| 申請號: | 200810214937.3 | 申請日: | 2008-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN101552257A | 公開(公告)日: | 2009-10-07 |
| 發明(設計)人: | 福田浩昌 | 申請(專利權)人: | 恩益禧電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/50 | 分類號: | H01L23/50;H01L23/525 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 能夠 切換 操作 模式 半導體器件 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體器件,更特別地,涉及一種基于鍵合的存在或不存在來切換操作模式的半導體器件。?
背景技術
一般慣例是預先在襯底(芯片)上形成用于執行不同的多個功能的電路,在組裝到半導體器件中之后,選擇滿足用戶要求的特定功能,并通過激活具有所選功能的電路來使半導體器件用戶化。由此,可以在通過制成通用芯片來降低總制造成本的同時制造滿足用戶的個人要求的半導體器件。?
US5,754,879描述基于外部端子(電源外部端子、接地外部端子、或復位外部端子)是否被鍵合到在芯片上提供的用于操作模式選擇的內部端子(模式焊盤)來選擇多個操作模式中的任何一個的技術。這種技術在不重新安裝外部端子的情況下使半導體器件能夠僅基于鍵合的存在或不存在來選擇操作模式,通過所述外部端子來提供用于操作模式選擇的特殊信號。?
內部端子被沿著芯片的周邊放置,信號通過所述內部端子被從芯片的外面輸入或向芯片的外面輸出。在被焊盤包圍的芯片中心區域中,形成了各種電路。小型化和多層布線的最新進步已經使得將許多電路安裝到芯片變成可能。但是,在沒有沿著芯片周邊來放置的需要的焊盤數目增加的情況下,芯片不能具有更多的電路,而對于某些產品,沿著芯片周邊來放置的需要的焊盤的數目確定芯片尺寸。?
本發明的發明者已經認識到,在安裝有用于滿足各個用戶要求的?多個電路和用于操作模式選擇的模式焊盤的芯片中,添加模式焊盤使芯片尺寸增大。具體地,重要的是通過將執行不同的多個功能的電路安裝到芯片,在設法盡可能滿足用戶要求的同時阻止芯片尺寸的增大。?
發明內容
本發明試圖解決一個或多個以上問題,或者試圖至少部分地改善上面那些問題。?
在一個實施例中,根據本發明的半導體器件包括:襯底;沿著襯底的周邊而放置的第一內部端子、第二內部端子、第三內部端子、以及第四內部端子;在襯底上形成并耦合到第一內部端子的電路;耦合到第二內部端子的第一外部端子;耦合到第三內部端子的第二外部端子;以及耦合到第四內部端子并放置在第二外部端子所在的襯底的一邊的旁邊的第三外部端子。電路輸出指示第一內部端子與第一外部端子之間的連接狀態的信號。在與其旁邊放置有第一外部端子的襯底的一邊平行的方向上,第一內部端子與第二內部端子的中心之間的距離是L1。在與其旁邊放置有第二外部端子和第三外部端子的襯底的一邊平行的方向上,第三內部端子與第四內部端子的中心之間的距離是L2。在這種情形中,距離L1被設置為小于距離L2。?
用這種結構,與所有內部端子都以距離L1而間隔開的情形相比,由內部端子的數目所確定的襯底外圍的長度被縮小L2-L1。?
因此,當其襯底尺寸由需要的沿著襯底的周邊而放置的內部端子的數目來確定的產品將通過添加操作模式選擇內部端子來滿足用戶的個人要求時,根據本發明,其中操作模式選擇內部端子和連接到外部端子的內部端子的相互距離是L2,其中所述外部端子在某些情形中被連接到操作模式選擇內部端子,襯底在面積上可以小于那些內部端子以距離L1而間隔開的情形。
在另一個實施例中,根據本發明的半導體器件包括:襯底;沿著襯底的的周邊而放置的第一內部端子、第二內部端子、第三內部端子、以及第四內部端子;以及在該襯底上形成并耦合到第一內部端子的電路。第一內部端子和第二內部端子可以連接到第一外部端子。第三內部端子可以連接到第二外部端子。第四內部端子可以連接到第三外部端子。電路輸出指示第一內部端子與第一外部端子之間的連接狀態的信號。在與放置有第一內部端子和第二內部端子中的一個的襯底周邊的一邊平行的方向上,第一內部端子和第二內部端子的中心之間的距離是L1。在與放置有第三內部端子和第四內部端子的襯底周邊的一邊平行的方向上,第三內部端子和第四內部端子的中心之間的距離是L2。在這種情形中,距離L1被設置為小于距離L2。?
用某些內部端子之間的間隔是比距離L2短的L1的這種結構,由內部端子的數目所確定的襯底外圍的長度被縮小L2-L1。?
附圖說明
本發明的以上和其它目的、優點和特征將通過接合附圖而采用的某些優選實施例的以下說明而變得更加明顯,在所述附圖中:?
圖1是根據本發明的第一實施例的半導體器件的結構圖;?
圖2是根據本發明的第一實施例的半導體器件的結構詳圖;?
圖3是顯示了根據本發明的第一實施例的距離L1和距離L2的圖;?
圖4是顯示了根據本發明的第一實施例的距離L1和距離L2的圖;?
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