[發(fā)明專利]垂直磁記錄介質(zhì)以及使用其的磁記錄和再現(xiàn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810214918.0
• 申請(qǐng)日: 2008-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN101377928A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 根本廣明;武隈育子;張振剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G11B5/66
• 分類號(hào): G11B5/66;G11B5/65;G11B5/64
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李濤;鐘強(qiáng)

1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，該垂直磁記錄介質(zhì)具有襯底、磁記錄層和保護(hù)層，其中

所述磁記錄層包括第一磁性層、磁耦合層、第二磁性層和第三磁性層，

所述第一磁性層是包含氧化物且位于所述襯底與所述磁耦合層之間的垂直磁化薄膜，

所述第二磁性層是包含氧化物且通過(guò)所述磁耦合層而與所述第一磁性層鐵磁耦合的垂直磁化薄膜，

所述第三磁性層是位于所述第二磁性層與所述保護(hù)層之間的鐵磁性層，并且

包含在所述第三磁性層中的氧化物濃度低于所述第二磁性層的氧化物濃度，或者所述第三磁性層不包含氧化物，

其中，所述第一磁性層的厚度t1、所述第二磁性層的厚度t2和所述第三磁性層的厚度t3滿足0.1＜t2/(t2+t3)＜0.6或0.2＜(t2+t3)/t1＜0.6。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述第一磁性層的各向異性磁場(chǎng)Hk1高于所述第二磁性層的各向異性磁場(chǎng)Hk2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述第一磁性層和所述第二磁性層是具有粒狀結(jié)構(gòu)的鐵磁性層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述第一磁性層包含Co、Cr和Pt，所述第二磁性層包含Co、Cr和Pt，并且所述第三磁性層包含Co、Cr和Pt。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的垂直磁記錄介質(zhì)，其中包含在所述第一磁性層和所述第二磁性層之中的氧化物是硅氧化物、鉭氧化物或鈦氧化物中的一種或者其混合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，所述磁耦合層包含Co和Ru或者所述磁耦合層包含Co和Cr。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述磁耦合層包含Co、Cr和Ru。

8.根據(jù)權(quán)利要求5的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述磁耦合層包含Co、Cr和氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求4的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述第一磁性層中的Pt元素的成分比例大于所述第二磁性層中的Pt元素的成分比例。

10.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，該磁記錄/再現(xiàn)裝置包括磁記錄介質(zhì)、用于驅(qū)動(dòng)磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分、用于對(duì)磁記錄介質(zhì)執(zhí)行讀/寫操作的磁頭和用于將磁頭定位到磁記錄介質(zhì)上的期望磁道位置的磁頭驅(qū)動(dòng)部分，

其中：

所述磁記錄介質(zhì)是具有襯底、磁記錄層和保護(hù)層的垂直磁記錄介質(zhì)，在該垂直磁記錄介質(zhì)中

所述磁記錄層包括第一磁性層、磁耦合層、第二磁性層和第三磁性層，

所述第一磁性層是包含氧化物且位于所述襯底與所述磁耦合層之間的垂直磁化薄膜，

所述第二磁性層是包含氧化物且通過(guò)所述磁耦合層與所述第一磁性層鐵磁耦合的垂直磁化薄膜，

所述第三磁性層是位于所述第二磁性層與所述保護(hù)層之間的鐵磁性層，并且

包含在所述第三磁性層中的氧化物濃度低于所述第二磁性層的氧化物濃度，或者所述第三磁性層不包含氧化物，

其中，所述第一磁性層的厚度t1、所述第二磁性層的厚度t2和所述第三磁性層的厚度t3滿足0.1＜t2/(t2+t3)＜0.6或0.2＜(t2+t3)/t1＜0.6。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的磁記錄/再現(xiàn)裝置，其中

所述磁頭具有寫入主磁極和輔助返回磁極，并且進(jìn)一步具有位于主磁極周邊的磁屏蔽。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的磁記錄/再現(xiàn)裝置，其中在所述垂直磁記錄介質(zhì)中，所述第一磁性層的各向異性磁場(chǎng)Hk1高于所述第二磁性層的各向異性磁場(chǎng)Hk2。