[發明專利]Ⅲ族氮化物半導體發光器件無效
| 申請號： | 200810214739.7 | 申請日： | 2008-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN101359712A | 公開（公告）日： | 2009-02-04 |
| 發明（設計）人： | 樸仲緒 | 申請（專利權）人： | 艾比維利股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁香蘭;謝栒 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種III族氮化物半導體發光器件，包括：
多個III族氮化物半導體層，所述多個III族氮化物半導體層包括通過電子和空穴的復合而發光的有源層；和
用于生長所述多個III族氮化物半導體層的襯底，所述襯底包括具有兩個相對的圓邊的突起，所述突起具有用于連接所述兩個相對的圓邊的兩個連接邊，
其中，所述兩個連接邊是直線，
所述襯底被至少一個切割面分開，并且所述兩個連接邊的延長線與所述至少一個切割面相交，所述兩個連接邊的延長線與所述多個氮化物半導體層的穩定生長面相交，所述兩個相對的圓邊面向所述多個氮化物半導體層的穩定生長面。
2.如權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件，其中，所述襯底是藍寶石襯底。
3.如權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件，其中，所述至少一個切割面相對于所述連接邊的角度為大約45°。
4.如權利要求1所述的III族氮化物半導體發光器件，其中，所述襯底包括具有形成在該襯底上的多個突起的第一陣列，和具有形成在該襯底上的多個突起的第二陣列，并且所述第一陣列的多個突起與所述第二陣列的多個突起以交錯位置排列。
5.如權利要求4所述的III族氮化物半導體發光器件，其中，所述襯底是藍寶石襯底。
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