[發(fā)明專利]包含陶瓷氧化物晶粒生長(zhǎng)抑制劑的超細(xì)陶瓷熱噴涂原料和其制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810214729.3 | 申請(qǐng)日： | 2008-06-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101412618A | 公開（公告）日： | 2009-04-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | T·丹尼·肖;欣慶·馬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英孚拉瑪特公司 |
| 主分類號(hào)： | C04B35/00 | 分類號(hào)： | C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 黃 威 |
| 地址： | 美國(guó)康*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包含 陶瓷 氧化物 晶粒 生長(zhǎng) 抑制劑 噴涂 原料 制備 方法 | ||
1.一種熱噴涂原料組合物，包括：
包含顆粒約為100納米到約500納米平均最長(zhǎng)直徑的超細(xì)陶瓷材料；和
包含不同于超細(xì)陶瓷材料的陶瓷氧化物的晶粒生長(zhǎng)抑制劑。
2.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中陶瓷氧化物包括過渡金屬氧化物、堿土金屬氧化物、稀土元素氧化物、非金屬的氧化物、不同的金屬氧化物，或包含至少一種前述陶瓷氧化物的組合。
3.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中存在于超細(xì)組合物中的晶粒生長(zhǎng)抑制劑的量是基于超細(xì)陶瓷材料重量的約0.1重量％到約50重量％。
4.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中超細(xì)陶瓷材料顆粒分散于陶瓷氧化物基體相中。
5.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中陶瓷氧化物與超細(xì)陶瓷材料均勻混合。
6.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中超細(xì)陶瓷材料包含氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯，或包含至少一種前述材料的組合。
7.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中陶瓷氧化物包含氧化鈦、氧化鋁、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鋯、氧化硅、鎂氧化物、鈣氧化物，或包含至少一種前述材料的組合。
8.權(quán)利要求1的熱噴涂原料組合物，其中陶瓷氧化物包含有平均最長(zhǎng)直徑約100納米到約500納米的顆粒。
9.一種用于熱噴涂的超細(xì)組合物的制造方法，包括：
包含顆粒平均最長(zhǎng)直徑約100納米到約500納米的超細(xì)陶瓷材料與不同于超細(xì)陶瓷材料的陶瓷氧化物晶粒生長(zhǎng)抑制劑混合，從而形成固體混合物；
固體混合物與液體結(jié)合形成漿料；以及
噴霧干燥漿料，形成重構(gòu)的復(fù)合材料。
10.權(quán)利要求9的方法，該方法在混合后，進(jìn)一步包括球磨固體混合物。
11.權(quán)利要求9的方法，其中液體包括水或有機(jī)物。
12.權(quán)利要求9的方法，進(jìn)一步包括在所述的噴霧干燥之前，在漿料中加入粘結(jié)劑。
13.權(quán)利要求9的方法，進(jìn)一步包括熱處理重構(gòu)的復(fù)合材料。
14.權(quán)利要求9的方法，其中重構(gòu)的復(fù)合材料包括聚團(tuán)，并進(jìn)一步包括篩選聚團(tuán)和對(duì)聚團(tuán)施以風(fēng)力分級(jí)以獲得聚團(tuán)的選擇部分。
15.權(quán)利要求14的方法，進(jìn)一步包括錘磨聚團(tuán)的非選擇部分。
16.權(quán)利要求9的方法，其中陶瓷氧化物包括過渡金屬氧化物、堿土金屬氧化物、稀土元素氧化物、非金屬的氧化物、不同的金屬氧化物，或包含至少一種前述陶瓷氧化物的組合。
17.權(quán)利要求9的方法，其中存在于超細(xì)組合物中的晶粒生長(zhǎng)抑制劑的量是基于超細(xì)陶瓷材料重量的約0.1重量％到約50重量％。
18.權(quán)利要求9的方法，其中超細(xì)陶瓷材料包含氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯，或包含至少一種前述材料的組合。
19.權(quán)利要求9的方法，其中陶瓷氧化物晶粒生長(zhǎng)抑制劑包含氧化鈦、氧化鋁、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鋯、氧化硅、鎂氧化物、鈣氧化物，或包含至少一種前述材料的組合。
20.涂覆表面的方法，包括：熱噴涂超細(xì)復(fù)合材料形成表面上的涂層，復(fù)合材料包括：
包含顆粒平均長(zhǎng)直徑約100納米到約500納米的超細(xì)陶瓷材料；和
包含不同于超細(xì)陶瓷材料的陶瓷氧化物的晶粒生長(zhǎng)抑制劑。
21.權(quán)利要求20的方法，其中在所述的熱噴涂期間陶瓷氧化物減少超細(xì)陶瓷材料的晶粒生長(zhǎng)。
22.權(quán)利要求20的方法，其中其中陶瓷氧化物包括過渡金屬氧化物、堿土金屬氧化物、稀土元素氧化物、非金屬的氧化物、不同的金屬氧化物，或包含至少一種前述陶瓷氧化物的組合。
23.權(quán)利要求20的方法，其中存在于超細(xì)組合物中的晶粒生長(zhǎng)抑制劑的量是基于超細(xì)陶瓷材料重量的約0.1重量％到約50重量％。
24.權(quán)利要求20的方法，其中超細(xì)陶瓷材料包含氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯，或包含至少一種前述材料的組合。
25.權(quán)利要求20的方法，其中陶瓷氧化物晶粒生長(zhǎng)抑制劑包含氧化鈦、氧化鋁、氧化釔、氧化鈰、氧化鈧、氧化鋯、氧化硅、鎂氧化物、鈣氧化物，或包含至少一種前述材料的組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英孚拉瑪特公司，未經(jīng)英孚拉瑪特公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810214729.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
