[發明專利]半導體激光器裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200810213599.1
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN101394066A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 鹿島孝之;牧田幸治;吉川兼司
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/323
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體激光器裝置，其特征在于，

具備：形成在第1導電型半導體基板上的第1半導體激光器元件和第2半導體激光器元件，

所述第1半導體激光器元件具有：從下側起依次形成在所述半導體基板上的第1第1導電型包層、包含由AlxGal-xAs組成的層的第1活性層、第1第2導電型包層和第1接觸層，而且具有形成在端面附近的作為包含第1雜質的區域的第1端面窗構造，

所述第2半導體激光器元件具有：從下側依起次形成在所述半導體基板上的第2第1導電型包層、包含由(AlyGal-y)zInl-zP組成的層的第2活性層、第2第2導電型包層、和第2接觸層，而且具有形成在端面附近的作為包含第2雜質的區域的第2端面窗構造，

所述第1第1導電型包層和第1第2導電型包層至少一方包含In，

所述第1端面窗構造的下端，比所述第1第1導電型包層的下端更靠上側，

從所述第1活性層的下端至所述第1端面窗構造的下端的距離，比所述第2活性層的下端至所述第2端面窗構造的下端的距離更短，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。

2.根據權利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第1端面窗構造的上端，比所述第1第2導電型包層的上端更靠下側。

3.根據權利要求1或2所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第2端面窗構造的下端，比所述第2第1導電型包層的下端更靠上側。

4.根據權利要求1或2所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第2半導體激光器元件，具有形成在所述半導體基板與所述第2第1導電型包層之間的緩沖層，

所述第2活性層，其帶隙比所述緩沖層小，

所述第2端面窗構造的下端，到達所述緩沖層。

5.根據權利要求4所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述緩沖層，由(AlyGal-y)zInl-zP或AlxGal-xAs組成，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。

6.根據權利要求4所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述緩沖層，是由(AlyGal-y)zInl-zP或AlxGal-xAs組成的多層膜，

所述緩沖層的各層上的Al的組成比，從所述半導體基板側起，向所述第2第1導電型包層側依次變大，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。

7.根據權利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第1接觸層和第2接觸層，是由AlxGal-xAs組成的單層膜或多層膜，

所述第1接觸層的膜厚，為所述第2接觸層的膜厚以上，

其中，0≦x≦1。

8.根據權利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第1接觸層和第2接觸層，是由AlxGal-xAs組成的單層膜或多層膜，

所述第1接觸層的Al組成比，為所述第2接觸層的Al組成比以下，其中，0≦x≦1。

9.根據權利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第1第2導電型包層和第2第2導電型包層，是由(AlyGal-y)zInl-zP組成的單層膜或多層膜，

所述第1第2導電型包層的膜厚，為所述第2第2導電型包層的膜厚以下，

其中，0≦y≦1，0≦z≦1。

10.根據權利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第1第2導電型包層和第2第2導電型包層，是由(AlyGal-y)zInl-zP組成的單層膜或多層膜，

所述第1第2導電型包層的Al組成比，為所述第2第2導電型包層的Al組成比以下，其中，0≦y≦1，0≦z≦1。

11.根據權利要求1所述的半導體激光器裝置，其特征在于，

所述第1第2導電型包層和第2第2導電型包層，分別包含第1蝕刻停止層和第2蝕刻停止層，

所述第1蝕刻停止層，是由AlxGal-xAs組成的單層膜或多層膜，

第2蝕刻停止層，是由(AlyGal-y)zInl-zP組成的單層膜或多層膜，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。