[發明專利]制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200810213479.1
• 申請日: 2008-09-08
• 公開（公告）號: CN101383273A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發明（設計）人: 谷口謙介
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種制造半導體器件的方法，該方法包括下列步驟：

在襯底中形成器件隔離區，以將擴散區分成第一和第二擴散區；

在所述襯底上形成待處理的膜；

在所述待處理的膜上形成硬掩模層和第一抗蝕劑層；

在所述第一抗蝕劑層上形成第一圖案；

通過利用所述第一圖案作為掩模來蝕刻所述硬掩模層；

在所述硬掩模層上形成第二抗蝕劑層；

在所述第二抗蝕劑層上形成包括第一間隔的第二圖案，以隔離所 述第一圖案；

通過利用形成在所述第二抗蝕劑層上的所述第二圖案作為掩模進 行尺寸轉換蝕刻，在所述硬掩模層上形成包括有從所述第一間隔縮減 的第二間隔的第三圖案；以及

通過利用形成在所述硬掩模層上的所述第三圖案來蝕刻所述待處 理的膜。

2.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，所述第二間 隔形成在所述第一和第二擴散區之間的器件隔離區中。

3.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，所述第三圖 案是柵極圖案。

4.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，在所述硬掩 模層上形成抗反射涂膜。

5.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，所述硬掩模 層包括選自SiOC、SiO₂、SiON、SiN、SiC、SiOF和SiCN中的至少一 種。

6.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，在所述硬掩 模層上的尺寸轉換蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體是碳氟化合物氣體，所 述碳氟化合物氣體是選自CHF₃或CH₂F₂中的至少一種氣體。

7.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，在所述硬掩 模層上的尺寸轉換蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體進一步包括選自由He、 Ar、O₂、N₂和CF₄所組成的組中的至少一種。

8.一種制造半導體器件的方法，其包括下列步驟：

在襯底上形成待處理的膜；

在所述待處理的膜上形成硬掩模層和第一抗蝕劑層；

在所述第一抗蝕劑層上形成第一圖案；

通過利用所述第一圖案作為掩模蝕刻所述硬掩模層；

在所述硬掩模層上形成第二抗蝕劑層；

在所述第二抗蝕劑層上形成包括第一間隔的第二圖案，以隔離所 述第一圖案；

通過利用形成在所述第二抗蝕劑層上的所述第二圖案作為掩模進 行尺寸轉換蝕刻，在所述硬掩模層上形成包括有從所述第一間隔縮減 的第二間隔的第三圖案；

通過利用形成在所述硬掩模層上的所述第三圖案來蝕刻所述待處 理的膜，以形成第一布線圖案和第二布線圖案；

在所述待處理的膜上形成層間絕緣膜；以及

形成分別使所述第一布線圖案和所述第二布線圖案連接所述層間 絕緣膜的第一和第二接觸孔。

9.根據權利要求8的制造半導體器件的方法，其中，所述第三圖 案是柵極圖案。

10.根據權利要求8的制造半導體器件的方法，其中，所述第三 圖案包括有在接觸孔形成區中的襯墊；以及所述第二圖案的第二間隔 形成在所述襯墊部分中。

11.根據權利要求8的制造半導體器件的方法，其中，在所述硬 掩模層上形成抗反射涂膜。

12.根據權利要求8的制造半導體器件的方法，其中，所述硬掩 模層包括選自SiOC、SiO₂、SiON、SiN、SiC、SiOF和SiCN中的至少 一種。

13.根據權利要求8的制造半導體器件的方法，其中，在所述硬 掩模層上的尺寸轉換蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體是碳氟化合物氣體， 所述碳氟化合物氣體是選自CHF₃或CH₂F₂中的至少一種氣體。

14.根據權利要求8的制造半導體器件的方法，其中，在所述硬 掩模層上的尺寸轉換蝕刻步驟中使用的蝕刻氣體進一步包括選自由 He、Ar、O₂、N₂和CF₄所組成的組中的至少一種。