[發明專利]一種低失調的超高速比較器

有效

• 申請號: 200810213439.7
• 申請日: 2008-10-08
• 公開（公告）號: CN101562441A
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 楊銀堂;朱樟明;韓寶妮;劉簾曦
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03K5/24
• 分類號: H03K5/24;H03M1/34
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 許 靜

1.一種低失調的超高速比較器，其特征在于，包括：順序連接的前置放大電路、動態鎖存電路和輸出鎖存電路，其中

所述前置放大電路，包括正負電阻并聯為負載的全差分輸入結構，用于放大輸入信號與參考信號的差值；

所述動態鎖存電路，設置有以反相器首尾連接成的雙穩態結構，用于放大所述前置放大電路的輸出信號，并將前級輸出建立到數字邏輯輸出電平；

所述輸出鎖存電路，由兩個交叉耦合NMOS晶體管和PMOS共源放大輸入組成，用于在鎖存時間內輸出前級輸出，在復位階段呈高阻態保持動態鎖存電路的輸出結果；

所述動態鎖存電路包括：NMOS晶體管M12、NMOS晶體管M13、NMOS晶體管M14、NMOS晶體管M15、NMOS晶體管M16、NMOS晶體管M17、PMOS晶體管M18、PMOS晶體管M19、PMOS晶體管M20、PMOS晶體管M21、PMOS晶體管M22、PMOS晶體管M23和PMOS晶體管M24，其中

NMOS晶體管M12的柵極作為正向輸入端接收所述前置放大電路的正向輸出電壓Vop，NMOS晶體管M13的柵極作為反向輸入端接收所述前置放大電路的反向輸出電壓Vom，NMOS晶體管M12的源極、NMOS晶體管M13的源極和NMOS晶體管M14的漏極相接，NMOS晶體管M14的柵極接時鐘信號，NMOS晶體管M14的源極接地，NMOS晶體管M15的柵極接電源，NMOS晶體管M15的源極接NMOS晶體管M12的漏極，NMOS晶體管M12的漏極和NMOS晶體管M13的漏極相接，在時鐘信號為高電平時短路輸入對管，NMOS晶體管M16的源極接NMOS晶體管M13的漏極，NMOS晶體管M17的源極接NMOS晶體管M12的漏極，NMOS晶體管M16的漏極接PMOS晶體管M18的漏極，并與NMOS晶體管M17和PMOS晶體管M19的柵極相接，NMOS晶體管M17的漏極接PMOS晶體管M19的漏極相接，并與NMOS晶體管M16和PMOS晶體管M18的柵極相接，構成交叉耦合反相器；

NMOS晶體管M16和PMOS晶體管M18的柵極作為反向輸出端Out-輸出電壓，NMOS晶體管M17和PMOS晶體管M19的柵極作為正向輸出端Out?+輸出電壓，PMOS晶體管M20的源極、PMOS晶體管M20的柵極、PMOS晶體管M21的柵極、PMOS晶體管M22的柵極以及PMOS晶體管M23的柵極接時鐘信號，用于在時鐘信號為低電平時將所述動態鎖存電路內部節點全部置為高電平；

PMOS晶體管M20的漏極接NMOS晶體管M16的漏極，PMOS晶體管M21的漏極接NMOS晶體管M17的漏極，PMOS晶體管M22的漏極接NMOS晶體管M13的漏極，PMOS晶體管M23的漏極接NMOS晶體管M20的漏極，PMOS晶體管M24的源極接正向輸出端Out+，PMOS晶體管M24的漏極接反向輸出端Out-。