[發明專利]電光裝置及電子設備

有效

• 申請號: 200810213337.5
• 申請日: 2008-08-27
• 公開（公告）號: CN101377594A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 石井達也
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種電光裝置，其特征在于，具備：

基板，

在該基板上，互相交叉而進行延伸并分別包括遮光性的導電膜的數據 線及掃描線，

設置于對應于前述數據線與前述掃描線的交叉處所限定的每個像素的 像素電極，

半導體層，其具有：具有沿前述數據線或前述掃描線的延伸方向的溝 道長度的溝道區域，電連接于前述數據線的數據線側源漏區域，電連接于 前述像素電極的像素電極側源漏區域，形成于前述溝道區域及前述數據線 側源漏區域間的第1結區域，和形成于前述溝道區域及前述像素電極側源 漏區域間的第2結區域，和

柵電極，其在前述基板上俯視時，具有包圍前述第2結區域的環形狀， 并通過柵絕緣膜，與前述溝道區域對向地配置；

前述第2結區域，在前述基板上俯視時，至少部分配置于前述數據線 與前述掃描線相交叉的交叉區域內。

2.按照權利要求1所述的電光裝置，其特征在于：

前述第2結區域，是LDD區域。

3.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述柵電極，相對于前述像素電極側源漏區域，通過層間絕緣膜而對 向地配置，該層間絕緣膜由與前述柵絕緣膜為同一層的層構成。

4.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述柵電極，相對于前述像素電極側源漏區域，通過層間絕緣膜而對 向地配置，該層間絕緣膜包括：由與前述柵絕緣膜為同一層的層構成的一 層和疊層于前述一層的其他層。

5.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述柵電極，相對于前述像素電極側源漏區域，通過保護膜而對向地 配置，該保護膜在通過蝕刻進行圖形化時用作為阻擋層。

6.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述溝道區域，在前述基板上俯視時，至少部分配置于從前述交叉區 域偏離并通過前述數據線所覆蓋的區域內。

7.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述數據線側源漏區域，在前述基板上俯視時，配置于從前述交叉區 域偏離并通過前述數據線所覆蓋的區域內。

8.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述像素電極側源漏區域，在前述基板上俯視時，配置于從前述交叉 區域偏離并通過前述數據線所覆蓋的區域內。

9.按照權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于：

前述柵電極，由前述掃描線的一部分構成，在與前述掃描線同層的層 中通過同一膜一體地形成。

10.一種電子設備，其特征在于：

具備權利要求1～9中的任何一項所述的電光裝置。