[發明專利]核工具及其構造方法以及使用其進行測井的方法

無效

• 申請號: 200810213302.1
• 申請日: 2008-08-18
• 公開（公告）號: CN101369027A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發明（設計）人: 克里斯琴·斯托勒
• 申請（專利權）人: 普拉德研究及開發股份有限公司
• 主分類號: G01V5/10
• 分類號: G01V5/10;G01V5/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 封新琴

1.一種核工具，其包括：

工具殼體；

置于所述工具殼體中的d-D中子發生器；和

置于所述工具殼體中的d-T中子發生器。

2.如權利要求1所述的核工具，其中，還包括用于控制所述d-D中子發生器和所述d-T中子發生器的脈沖的控制電路。

3.如權利要求1所述的核工具，其中，所述d-D中子發生器和所述d-T中子發生器是以肩并肩的結構設置的。

4.如權利要求1所述的核工具，其中，所述d-D中子發生器和所述d-T中子發生器是以背對背的結構設置的。

5.如權利要求1所述的核工具，還包括選自下面組的至少一種探測器，所述組由熱中子探測器、超熱中子探測器、快中子探測器和伽瑪探測器組成。

6.如權利要求1所述的核工具，其中，所述d-D中子發生器和所述d-T中子發生器的靶被構造成在高的負電壓或接地電壓下運行。

7.如權利要求1所述的核工具，其中，還包括至少一個探測器以監測來自d-T中子發生器、d-D中子發生器、或d-T中子發生器和d-D中子發生器二者的中子通量。

8.一種利用核工具的測井方法，包括：

把所述核工具置于穿過地層的鉆孔中；

向d-D中子發生器施加脈沖以在第一能量等級下發射中子進入所述地層；

向d-T中子發生器施加脈沖以在第二能量等級下發射中子進入所述地層；和

測量從所述地層返回的信號。

9.如權利要求8所述的方法，其中，所述d-D中子發生器施加的脈沖和所述d-T中子發生器施加的脈沖被調整來使得來自所述d-D中子發生器的輸出和來自所述d-T中子發生器的輸出基本相同。

10.如權利要求8所述的方法，其中，所述d-D中子發生器施加的脈沖和所述d-T中子發生器施加的脈沖根據特定的脈沖模式進行。

11.如權利要求10所述的方法，其中，所述特定的脈沖模式包括至少一個不產生中子輸出的周期。

12.如權利要求8所述的方法，其中，所述信號包括中子信號和伽瑪射線信號。

13.如權利要求8所述的方法，其中，還包括從探測到的信號推導出至少一種地層性質。

14.一種構造核工具的方法，包括：

把d-D中子發生器置于工具殼體中；和

把d-T中子發生器置于所述工具殼體中。

15.如權利要求14所述的方法，其中，所述d-D中子發生器和所述d-T中子發生器被肩并肩地定位。

16.如權利要求14所述的方法，其中，所述d-D中子發生器和所述d-T中子發生器被背對背地定位。