[發(fā)明專利]非易失性半導(dǎo)體存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810213079.0
• 申請日: 2008-08-28
• 公開（公告）號: CN101378083A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 有吉恵子;高島章;菊地祥子;村岡浩一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/51;H01L29/792;H01L27/115
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦晨

1.一種非易失性半導(dǎo)體存儲器件，包括：

半導(dǎo)體區(qū)；

在半導(dǎo)體區(qū)中分開地布置的源極/漏極區(qū)；

布置在源極/漏極區(qū)之間的溝道區(qū)域上的隧道絕緣薄膜；

布置在隧道絕緣薄膜上的浮柵電極；

布置在浮柵電極上的電極間絕緣薄膜；以及

布置在電極間絕緣薄膜上的控制柵電極，

電極間絕緣薄膜包括包含Si的鋁酸鑭層，其組成比在0.06＜Si/(La+Al)＜0.60的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中包含Si的鋁酸鑭層是非晶的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，浮柵電極由包含Si的材料構(gòu)成，在電極間絕緣薄膜與浮柵電極之間具有由Al氧化物構(gòu)成的阻擋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，控制柵電極具有由包含Si的材料構(gòu)成的層，電極間絕緣薄膜與控制柵電極之間具有由Al氧化物構(gòu)成的阻擋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中控制柵電極具有由包含Ta的材料構(gòu)成的層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中隧道絕緣薄膜具有由包含Si的材料構(gòu)成的層。

7.一種非易失性半導(dǎo)體存儲器件，包括：

半導(dǎo)體區(qū)；

在半導(dǎo)體區(qū)中分開地布置的源極/漏極區(qū)；

布置在源極/漏極區(qū)之間的溝道區(qū)域上的隧道絕緣薄膜；

布置在隧道絕緣薄膜上的電荷存儲層；

布置在電荷存儲層上的阻擋絕緣薄膜；以及

布置在阻擋絕緣薄膜上的控制柵電極，

阻擋絕緣薄膜包括包含Si的鋁酸鑭層，其組成比在0.06＜Si/(La+Al)＜0.60的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中包含Si的鋁酸鑭層是非晶的。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，電荷存儲層由包含Si的材料構(gòu)成，在阻擋絕緣薄膜與電荷存儲層之間具有由Al氧化物構(gòu)成的的阻擋層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，控制柵電極具有由包含Si的材料構(gòu)成的層，在阻擋絕緣薄膜與控制柵電極之間具有由Al氧化物構(gòu)成的阻擋層。

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中控制柵電極具有由包含Ta的材料構(gòu)成的層。

12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中電荷存儲層由包含Al和Hf中的至少之一的絕緣材料構(gòu)成。

13.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的非易失性半導(dǎo)體存儲器件，其中隧道絕緣薄膜具有由包含Si的材料構(gòu)成的層。