[發明專利]Ag－基合金濺射靶

無效

• 申請號: 200810212643.7
• 申請日: 2008-08-27
• 公開（公告）號: CN101376963A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 田內?；?/a>;松崎均;大川直樹
• 申請（專利權）人: 株式會社鋼臂功科研;索尼碟片數位解決方案股份有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 王旭

1.一種Ag基合金濺射靶，所述Ag基合金濺射靶包含總量為1至15 重量％的選自以下的至少一種元素：Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、 Mn、Fe、Co、Ni、Cu、A1和Si，

其中所述Ag基合金濺射靶在其濺射表面上具有2μm以上且10μm以 下的算術平均粗糙度以及20μm以上且80μm以下的最大高度，并且

其中按0.25mm²的濺射表面計，面積為100μm²以上的合金元素的粒 子的數量總共超過5個。

2.根據權利要求1所述的Ag基合金濺射靶，所述Ag基合金濺射靶 是根據粉末燒結法制備的。

3.根據權利要求2所述的Ag基合金濺射靶，所述Ag基合金濺射靶 是通過下列方法得到的：根據粉末燒結法形成金屬混合物，并且將所述金 屬混合物機械加工以形成靶材料，隨后使用選自濃度為5至30摩爾％的稀 釋硝酸和濃度為5至30摩爾％的過氧化氫溶液中的至少一種，對所述靶材 料進行濕法蝕刻。

4.根據權利要求1所述的Ag基合金濺射靶，所述Ag基合金濺射靶 用于形成只讀光學記錄介質中的反射層。

5.根據權利要求2所述的Ag基合金濺射靶，所述Ag基合金濺射靶 用于形成只讀光學記錄介質中的反射層。

6.根據權利要求3所述的Ag基合金濺射靶，所述Ag基合金濺射靶 用于形成只讀光學記錄介質中的反射層。