[發明專利]光輔助磁頭裝置、光輔助磁記錄裝置及光輔助磁記錄方法

無效

• 申請號: 200810211548.5
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN101393747A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 小島直人
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/31;G11B5/012;G11B11/105
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種光輔助磁頭裝置，包括

聚焦光學系統；以及

薄膜磁頭，包括主磁極，

其中，所述聚焦光學系統包括半球形或超半球形固體浸沒透鏡，并且

其中，所述薄膜磁頭包括在所述主磁極的光入射側上引起表面等離子體振子共振的金屬層。

2.根據權利要求1所述的光輔助磁頭裝置，其中

線偏振光入射到所述聚焦光學系統上，并且所述入射光的電場振動方向沿所述光輔助磁頭與磁記錄介質之間的相對運動方向配置。

3.根據權利要求1所述的光輔助磁頭裝置，

其中，所述薄膜磁頭是用于垂直磁記錄的單極磁頭，

其中，所述金屬層被設置在所述主磁極的在所述光輔助磁頭裝置和磁記錄介質之間的相對運動方向上的流入端的側表面上，并且

其中，所述金屬層沿所述聚焦光學系統的光軸配置。

4.根據權利要求3所述的光輔助磁頭裝置，其中

所述光軸被配置在所述金屬層的中心部。

5.根據權利要求1所述的光輔助磁頭裝置，其中

設置在所述主磁極上的所述金屬層的材料是Au、Ag、Au合金以及Ag合金之一。

6.根據權利要求1所述的光輔助磁頭裝置，其中

所述主磁極上的所述金屬層的厚度至少為1nm，并且不大于要記錄在磁記錄介質上的最小記錄標記長度。

7.根據權利要求1所述的光輔助磁頭裝置，其中

所述固體浸沒透鏡包括形成透鏡的球形部分的球形部以及面向磁記錄介質的光學材料部，并且所述薄膜磁頭在所述光學材料部上形成。

8.一種光輔助磁記錄裝置，包括：

光源單元；

磁記錄介質安裝單元；

薄膜磁頭，包括主磁極；

記錄信號控制單元；以及

聚焦光學系統，將來自所述光源單元的光導向所述薄膜磁頭，

其中，所述聚焦光學系統包括半球形或超半球形固體浸沒透鏡，并且

其中，所述薄膜磁頭包括在所述主磁極的光入射側上引起表面等離子體振子共振的金屬層。

9.根據權利要求8所述的光輔助磁記錄裝置，其中

所述薄膜磁頭安裝在空氣軸承滑塊上。

10.根據權利要求8所述的光輔助磁記錄裝置，

其中，所述薄膜磁頭安裝在致動器上，所述致動器在磁記錄介質表面的法線方向進行定位，以及

其中，來自所述磁記錄介質的通過近場的返回光用于控制所述薄膜磁頭和所述磁記錄介質之間的距離。

11.一種光輔助磁記錄方法，包括以下步驟：

將薄膜磁頭配置在聚焦光學系統的聚焦點位置；

在所述薄膜磁頭的主磁極上設置引起表面等離子體振子共振的金屬層；以及

通過從設置了所述主磁極的所述金屬層的前端位置施加近場光而在磁記錄介質上進行記錄。