[發明專利]配線及層間連接通孔的形成方法

無效

• 申請號: 200810211097.5
• 申請日: 2008-08-20
• 公開（公告）號: CN101378632A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 端場登志雄;赤星晴夫;鈴木齊;珍田聰
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42;H01L21/48
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳昕

1.一種配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，具有在基板的表面形成與配線圖案相對應的槽并在應該形成層間連接通孔的位置形成凹部的槽及凹部形成工序、在形成有所述槽及所述凹部的基板的表面形成作為電鍍的底層的第一金屬層的底層形成工序、以及通過電鍍在所述槽及所述凹部形成第二金屬層的電鍍工序，只對所述槽及所述凹部進行粗面化處理，在用于所述電鍍工序的電鍍液中添加添加劑，所述添加劑具有抑制電鍍反應的功能，且具有隨著電鍍反應的進行其抑制該電鍍反應的功能降低的特性，所述添加劑含有由下式表示的花青染料或其衍生物的至少一種，其中，n是0，1，2，3中的任一個，

〔化1〕

2.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述添加劑具有使金屬的析出過電壓增大的功能。

3.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述電鍍液具有以下特性：

求表示圓盤電極的每轉內圓盤電極的電位和電流密度的關系的極化曲線時，在第一電位的區域，圓盤電極的轉速為1000rpm時的電流密度比圓盤電極的轉速為零時的電流密度小，在比所述第一電位的區域負的第二施加電位的區域，圓盤電極的轉速為1000rpm時的電流密度比圓盤電極的轉速為零時的電流密度大。

4.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述電鍍液具有以下特性：

求表示圓盤電極的每轉內圓盤電極的電位和電流密度的關系的極化曲線時，電位在相對于標準氫電極電位為+100～200mV的范圍內，圓盤電極的轉速為1000rpm時的電流密度在圓盤電極的轉速為零時的電流密度的1/100以下，電位在相對于標準氫電極電位比-100mV負的范圍內，圓盤電極的轉速為1000rpm時的電流密度比圓盤電極的轉速為零時的電流密度大。

5.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述電鍍液為酸性硫酸銅溶液，所述第二金屬層由銅形成。

6.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述第一金屬層由銅、鎳、鈷、鉻、鎢、鈀、鈦或含有鎳、鈷、鉻、鎢、鈀、鈦或它們中的至少一種的合金形成。

7.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述底層形成工序之后且所述電鍍工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601規定的算術平均粗糙度Ra比所述槽及所述凹部以外的區域的JISB0601規定的算術平均粗糙度Ra大。

8.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述底層形成工序之后且所述電鍍工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601規定的粗糙度曲線要素的平均長度RSm比所述槽及所述凹部以外的區域的JISB0601規定的粗糙度曲線要素的平均長度RSm小。

9.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述底層形成工序之后且所述電鍍工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601規定的算術平均粗糙度Ra為所述槽及所述凹部以外的區域的JISB0601規定的算術平均粗糙度Ra的10倍以上；所述槽及所述凹部的JISB0601規定的粗糙度曲線要素的平均長度RSm為所述槽及所述凹部以外的區域的JISB0601規定的粗糙度曲線要素的平均長度RSm的1/10倍以下。

10.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述底層形成工序之后且所述電鍍工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601規定的算術平均粗糙度Ra為0.01～4μm，所述槽及所述凹部的JISB0601規定的粗糙度曲線要素的平均長度RSm為0.005～8μm。

11.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述槽及凹部形成工序中，在所述基板上同時形成所述槽和所述凹部。

12.如權利要求1所述的配線及層間連接通孔的形成方法，其特征在于，所述槽和所述凹部通過光刻法、激光照射法、納米壓印法的任一方法形成。