[發明專利]中心加熱相變化存儲器結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810210901.8
• 申請日: 2008-08-12
• 公開（公告）號: CN101504967A
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種存儲裝置，其特征在于，包含：

一介電層，具有一頂表面；

一介層孔，自該介電層的該頂表面延伸，并具有一底部位和一頂部位；

一底電極，位于該介層孔的該底部位之內；.

一第一相變化層，其包含一第一相變化材料于該介層孔的該頂部位之內且與該底電極連接，該第一相變化材料具有至少兩種固相狀態；

一電阻加熱層，其包含一加熱材料在該第一相變化層之上；

一第二相變化層，其包含一第二相變化材料在該電阻加熱層之上，該第二相變化材料具有至少兩種固相狀態；以及

一頂電極，于該第二相變化層之上；

其中該加熱材料具有一電阻率，該電阻率是大于該第一及第二相變化材料的最高電阻率。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該電阻加熱層、該第二相變化層及該頂電極形成一多層堆棧覆蓋于該介電層的該頂表面上。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該電阻加熱層具有小于或等于10nm的一厚度。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該加熱材料具有一電阻率，該電阻率是大于該第一及第二相變化材料的該最高電阻率1.5倍至100倍之間。

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，其中該加熱材料具有一電阻率，該電阻率是大于該第一及第二相變化材料的該最高電阻率4倍至50倍之間。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，其中該加熱材料包含摻雜氧化硅或氮化物，該氮化物是氮化鈦、氮化鉭、鎢化鈦、氮化硅鈦、或氮化硅鉭。

7.一種用來制造一存儲裝置的方法，其特征在于，該方法包含：

提供一底電極延伸至一介電層的一頂表面；

移除該底電極的一部位以形成一凹部；

填充該凹部以一第一相變化材料層，而該第一相變化材料層具有至少兩種固態相；

形成一加熱材料層于該第一相變化層之上；

形成一第二相變化材料層于該加熱材料層之上，而該第二相變化材料層具有至少兩種固態相；以及

形成一頂電極材料層于該第二相變化層之上；

其中該加熱材料具有一電阻率，該電阻率是大于該第一及第二相變化材料的該最高電阻率。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，其中填充該凹部步驟包含：

形成該第一相變化材料層于該凹部之內及該介電層的該頂表面之上；以及

平坦化該第一相變化材料層以暴露出該介電層的該頂表面。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，更包含刻蝕該加熱材料層、該第二相變化材料層及該頂電極材料層，因而形成一多層堆棧覆蓋于該介電層的該頂表面上。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，其中該加熱材料層具有小于或等于10nm的一厚度。

11.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，其中該加熱材料具有一電阻率，該電阻率是大于該第一及第二相變化材料的該最高電阻率1.5倍至100倍之間。

12.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，其中該加熱材料包含摻雜氧化硅或氮化物，該氮化物是氮化鈦、氮化鉭、鎢化鈦、氮化硅鈦、或氮化硅鉭。