[發明專利]定量化薄層地層的電阻率和含烴飽和度的方法

有效

• 申請號: 200810210273.3
• 申請日: 2008-08-11
• 公開（公告）號: CN101363315A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 戴維·F·艾倫;格奧吉·博達科夫
• 申請（專利權）人: 普拉德研究及開發股份有限公司
• 主分類號: E21B49/00
• 分類號: E21B49/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 封新琴

1.一種估算層狀地下地層中烴體積的方法，包括：

測定地層中的垂直電阻率和水平電阻率；

測定地層各層的束縛水飽和度和總孔隙度；

根據各層的束縛水飽和度和總孔隙度以及各層中估算的束縛水總體積， 估算地層的水平電阻率值和垂直電阻率值；

將這些估算值和測定的水平電阻率和垂直電阻率進行比較；

調整各層中所估算的束縛水飽和度并反復估算該值，直到估算值與測定 的垂直電阻率和水平電阻率之間的差值降到所選的閾值以下；及

由各層經調整的束縛水飽和度估算烴體積。

2.權利要求1的方法，其中各層中的總孔隙度是由聲速、密度、核磁 共振馳豫法及中子孔隙度測井中至少一種方法的測量結果測定的。

3.權利要求1的方法，其中各層中的束縛水飽和度是由電磁波衰減和 核磁共振馳豫法測井中至少一種方法的測量結果測定的。

4.權利要求1的方法，其中所測定的垂直電阻率和水平電阻率是由軸 向分辨率比用于測定束縛水飽和度的測量更粗略的測量結果獲得的，其中所 述軸向分辨率為沿井眼方向的分辨率。

5.權利要求1的方法，還包括利用各層的束縛水飽和度和總孔隙度估 算各層的水平電阻率值和垂直電阻率值，及將各層的水平電阻率平均值和各 層的垂直電阻率平均值分別與所測定的水平電阻率值和垂直電阻率值進行 比較。

6.一種測井方法，包括：

沿著鉆過層狀地下地層的井眼移動測井儀，該測井儀包括測定地層中垂 直電阻率和水平電阻率的第一傳感裝置以及測定地層中總孔隙度和束縛水 飽和度的第二傳感裝置，第二傳感裝置的軸向分辨率比第一傳感裝置精細；

由第一傳感裝置的測量結果，測定層狀地層中水平電阻率值和垂直電阻 率值；

由第二傳感裝置的測量結果，測定各地層的束縛水飽和度和總孔隙度；

根據各層的束縛水飽和度和總孔隙度以及各層的估算的束縛水總體積， 估算地層的水平電阻率值和垂直電阻率值；

將這些估算值和測定的水平電阻率和垂直電阻率進行比較；

調整所估算的各層的束縛水飽和度并反復估算該值，直到估算值與測定 的垂直電阻率和水平電阻率之間的差值降到所選的閾值以下；及

由調整的各層的束縛水飽和度估算烴體積。

7.權利要求6的方法，其中第一傳感裝置包括用于測量聲速、密度、 核磁共振馳豫和中子孔隙度中至少一種的傳感器。

8.權利要求6的方法，其中各層的束縛水飽和度是由電磁波衰減和核 磁共振馳豫法測井中至少一種的測量結果測定的。

9.權利要求6的方法，還包括利用各層的束縛水飽和度和總孔隙度估 算各層的水平電阻率值和垂直電阻率值，及將各層的水平電阻率平均值和各 層的垂直電阻率平均值分別與所測定的垂直電阻率值和水平電阻率值進行 比較。