[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200810210256.X
• 申請日: 2008-08-11
• 公開（公告）號: CN101364597A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 真田和彥
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/108;H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8242
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陸錦華;黃啟行

1.一種半導體器件，包括：

基底；

電容器和隔離絕緣層，設置在所述基底的表面附近；

其中，所述基底包括：

多個第一凹陷部分，設置在所述基底的主表面上；

第二凹陷部分，設置在除了設置有所述第一凹陷部分之外的區中的所述基底的所述主表面上；以及

第三凹陷部分，設置在所述多個第一凹陷部分的至少一個的底部上；

所述第二凹陷部分和所述第三凹陷部分通常具有相同的深度；

所述電容器設置在包括至少一個所述第一凹陷部分和設置在其中的所述第三凹陷部分的區上方，并且所述隔離絕緣層被設置成填充剩余的第一凹陷部分；并且

所述第二凹陷部分填充有柵電極的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述電容器包括：

所述基底；

上電極，設置成填充所述至少一個所述第一凹陷部分和設置在其中的所述第三凹陷部分，以及

電容絕緣層，設置在所述第一凹陷部分和所述第三凹陷部分與所述上電極之間；并且

所述上電極和所述柵電極實質上由相同的材料構成。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三凹陷部分和所述第二凹陷部分通常寬度和口徑至少有一個相同。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一凹陷部分中的一個包括多個所述第三凹陷部分。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述基底包括多個凹陷部分，所述多個凹陷部分分別包括所述第一凹陷部分和所述第三凹陷部分中的每個中的一個。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電容器是去耦電容器。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電容器是升壓/降壓電容器。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

選擇性地去除基底，并在所述基底的主表面上形成多個第一凹陷部分；

在所述多個第一凹陷部分中埋入絕緣層；

從所述多個第一凹陷部分中的至少一個中去除所述絕緣層，以暴露其內壁；

選擇性地去除在所述多個第一凹陷部分中的所述至少一個中的所述基底，以形成第三凹陷部分，并選擇性地去除在除了設置有所述第一凹陷部分之外的區中的所述基底，以便以通常與所述第三凹陷部分的深度相同的深度在所述主表面上形成第二凹陷部分；

形成電容絕緣層，以覆蓋所述第一凹陷部分中的所述至少一個的所述內壁和所述第三凹陷部分的內壁，并形成柵極絕緣層，以覆蓋所述第二凹陷部分的內壁；以及

在所述第一凹陷部分中的所述至少一個和所述第三凹陷部分中形成上電極，以覆蓋所述電容絕緣層，并填充所述第一凹陷部分中的所述至少一個和所述第三凹陷部分，并在所述柵極絕緣層上形成柵電極以填充所述第二凹陷部分。

9.一種半導體器件，包括：

第一凹陷部分，在基底上開口；

第二凹陷部分，形成在所述第一凹陷部分的外部；

第三凹陷部分，在所述第一凹陷部分內部開口；

電容絕緣層，設置成覆蓋所述第一凹陷部分和所述第三凹陷部分；

上電極，形成在所述電容絕緣層上；

絕緣層，設置成覆蓋所述第二凹陷部分；以及

柵電極，形成在所述絕緣層上，以覆蓋所述第二凹陷部分；

其中，所述第二凹陷部分和所述第三凹陷部分通常具有相同的口徑和深度；以及

所述電容絕緣層和所述上電極構成電容器，且所述基底用作下電極。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括用作隔離區的第四凹陷部分，所述第四凹陷部分通常具有與所述第一凹陷部分相同的深度。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括多個第四凹陷部分，其中，所述第一凹陷部分以預定的間隔位于相鄰的所述第四凹陷部分之間。

12.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述第一凹陷部分包括多個所述第三凹陷部分。