[發明專利]制造包括填充納米結構的微通道的微流控元件的方法

有效

• 申請號: 200810209884.6
• 申請日: 2008-09-28
• 公開（公告）號: CN101458260A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 阿格尼絲·方弗恩;讓·迪喬恩;弗洛倫斯·里庫爾;伊曼紐爾·魯維爾
• 申請（專利權）人: 原子能委員會
• 主分類號: G01N35/00
• 分類號: G01N35/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 馬高平

1.一種制造微流控元件(1)的方法，所述微流控元件(1)包括至少一個 由底壁(3)、頂壁(6)和兩個相對的側壁(4，5)構成的微通道(2)，該方法包 括：

在基片(7)的表面(7a)內，形成所述微通道(2)的底壁(3)和兩個相對的 側壁(4，5)；

通過從沉積在所述微通道(2)的相對的側壁(4，5)和底壁(3)上的金屬催化 劑形成的第一層(9)原位生長來形成填充所述微通道(2)的納米結構 (13a，13b，13c)；和

通過在所述基片(7)的表面(7a)上放置頂蓋(11)并將所述頂蓋(11)密封于 所述表面(7a)上，形成所述微通道(2)的頂壁(6)；

其特征在于，所述金屬催化劑形成的第二層(10)也沉積在設計為與頂蓋 (11)接觸的基片(7)的表面(7a)上，并且密封的操作是在形成納米結構 (13a，13b，13c)之前，通過熱處理在金屬催化劑形成的第二層(10)的金屬和頂 蓋(11)的材料之間形成低共熔混合物(12)而進行。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積在設計為與頂蓋 (11)接觸的基片(7)的表面(7a)上的所述金屬催化劑形成的第二層(10)的厚 度(e)選擇為介于20nm和200nm之間。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積在所述微通道(2)的相 對的側壁(4，5)和底壁(3)上的所述金屬催化劑形成的第一層(9)的厚度(e’)選擇 為介于1nm和20nm之間。

4.如權利要求1-3中任何一項所述的方法，其特征在于，納米結構 (13d)通過沉積在所述頂壁(6)上的附加的金屬催化劑層(14)形成的第三層原 位生長形成于微通道(2)的頂壁(6)上。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，該附加的金屬催化劑層 (14)沉積在頂蓋(11)的整個表面(11a)上，并被設計為在所述頂蓋(11)被放置 時與基片(7)的表面(7a)接觸。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，金屬催化劑選自鎳、鈷、 鐵和金。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，頂蓋(11)的材料選自硅、 二氧化硅和玻璃。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，微通道(2)的兩個相對的側 壁(4，5)之間的距離(L)選擇為介于1μm和500μm之間。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，微通道(2)的頂壁(6)和底 壁(3)之間的距離(P)選擇為介于5μm和100μm之間。