[發(fā)明專利]用于薄膜太陽能電池的透明低阻/高阻復(fù)合膜的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810208230.1
• 申請(qǐng)日: 2008-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN101447533A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 褚君浩;馬建華;王善力
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海太陽能電池研究與發(fā)展中心
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/56;C23C14/06
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 郭 英

1.一種用于薄膜太陽能電池的透明低阻/高阻復(fù)合膜的制備方法，其特征在于步驟如下：

§A將準(zhǔn)備生長(zhǎng)透明低阻/高阻復(fù)合膜的樣品和導(dǎo)電氧化物靶材放入磁控濺射設(shè)備的真空腔內(nèi)，采用機(jī)械泵和分子泵對(duì)真空腔抽至(4～8)×10^-4Pa本底真空；

§B磁控濺射參數(shù)范圍設(shè)定：

濺射功率為50～100W；濺射氣體為Ar、O₂，濺射氣壓為0.8～2.4Pa，其中O₂的體積百分比是通過調(diào)節(jié)Ar和O₂的流量比來控制O₂的體積百分含量；樣品溫度為300～500℃；濺射時(shí)間根據(jù)薄膜厚度要求而定；

§C透明低阻/高阻復(fù)合膜的生長(zhǎng)

對(duì)于上層配置結(jié)構(gòu)的薄膜太陽能電池，樣品即為透明襯底，在透明襯底上，在純Ar濺射氣體下濺射生長(zhǎng)透明低阻膜，膜厚根據(jù)要求而定；然后再在透明低阻膜上，在Ar、O₂混合工作氣體下，O₂含量為1～15％，濺射生長(zhǎng)透明高阻膜，膜厚根據(jù)要求而定，濺射結(jié)束后，停止襯底加熱，薄膜樣品隨基片臺(tái)一起冷卻到室溫；

對(duì)于下層配置結(jié)構(gòu)的薄膜太陽能電池，樣品即為襯底上依次制備有背接觸電極、p型吸收層、n型窗口層；在n型窗口層上依次生長(zhǎng)透明高阻膜、透明低阻膜，透明高阻膜和透明低阻膜的生長(zhǎng)條件與上層配置結(jié)構(gòu)相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于薄膜太陽能電池的透明低阻/高阻復(fù)合膜的制備方法，其特征在于：所述的透明低阻/高阻復(fù)合膜材料為In₂O₃:Sn或ZnO:Al或SnO₂:F或SnO₂:Sb或CdO或CdIn₂O₄或Cd₂SnO₄或Zn₂SnO₄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于薄膜太陽能電池的透明低阻/高阻復(fù)合膜的制備方法，其特征在于所述的樣品為透明襯底或襯底上依次制備有背接觸電極、p型吸收層、n型窗口層的樣品。