[發明專利]快閃存儲器的形成方法

無效

• 申請號: 200810208186.4
• 申請日: 2008-12-29
• 公開（公告）號: CN101770954A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發明（設計）人: 蔣莉;蔡孟峰;常建光
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種快閃存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有浮柵以及位于浮柵上的層間絕緣層；

在半導體襯底上形成多晶硅層，所述多晶硅層覆蓋浮柵；

在多晶硅層上形成研磨保護層；

平坦化研磨保護層和多晶硅層；

刻蝕多晶硅層至露出半導體襯底，在浮柵位置的層間絕緣層上形成控制柵。

2.如權利要求1所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述研磨保護層是光刻膠層、正硅酸乙酯膜層、氧化絕緣膜層或硼磷硅玻璃與富硅玻璃的堆疊層。

3.如權利要求2所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成光刻膠層的方法是旋涂法。

4.如權利要求3所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度為500納米～2000納米。

5.如權利要求2所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成正硅酸乙酯膜層的方法為化學氣相沉積法。

6.如權利要求5所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述正硅酸乙酯膜層的厚度為500埃～2000埃。

7.如權利要求2所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成氧化絕緣膜層的方法為化學氣相沉積法。

8.如權利要求5所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述氧化絕緣膜層的厚度為2000埃～5000埃。

9.如權利要求2所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，硼磷硅玻璃與富硅玻璃的堆疊層中富硅玻璃位于多晶硅層上，硼磷硅玻璃位于富硅玻璃上。

10.如權利要求9所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成硼磷硅玻璃和富硅玻璃的方法為化學氣相沉積法。

11.如權利要求10所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃的厚度為3000埃～6000埃，富硅玻璃的厚度為200埃～1000埃。

12.如權利要求1所述快閃存儲器的形成方法，其特征在于，平坦化研磨保護層和多晶硅層的方法為化學機械研磨法。