[發明專利]用于電子器件封接的無鉛氧化鉍焊料玻璃及其制備方法

無效

• 申請號: 200810207413.1
• 申請日: 2008-12-19
• 公開（公告）號: CN101456673A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 陳培;喬文杰;李勝春;賀雅飛;夏秀峰
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: C03C8/24
• 分類號: C03C8/24
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.用于電子器件封接的無鉛氧化鉍焊料玻璃，其組分為：Bi₂O₃、B₂O₃、BaO、ZnO、Al₂O₃、TiO₂、CaO、CeO₂、Sb₂O₃、Cr₂O₃，其重量百分比分別為40％～65％，10％～40％，5％～25％，1％～10％，1％～10％，0.1％～10％，0.1％～10％，0.1％～10％，0.1％～5％，0.1％～5％。

2.根據權利要求1所述的用于電子器件封接的無鉛氧化鉍焊料玻璃，其特征在于：所述Bi₂O₃的重量百分比為50％～65％、B₂O₃的重量百分比為10％～20％、BaO的重量百分比為15％～25％、ZnO的重量百分比為2％～7％、Al₂O₃的重量百分比為1％～5％、TiO₂的重量百分比為0.5％～5％、CaO的重量百分比為0.5％～5％、CeO₂的重量百分比為0.5％～5％、Sb₂O₃的重量百分比為0.1％～1％、Cr₂O₃的重量百分比為0.1％～1％。

3.用于電子器件封接的無鉛氧化鉍焊料玻璃的制備方法，包括：

(1)按照如下各組分的重量百分比稱取各原料；

Bi₂O₃????????????????????40％～65％

B₂O₃?????????????????????10％～40％

BaO??????????????????????5％～25％

ZnO??????????????????????1％～10％

Al₂O₃????????????????????1％～10％

TiO₂?????????????????????0.1％～10％

CaO??????????????????????0.1％～10％

CeO₂?????????????????????0.1％～10％

Sb₂O₃????????????????????0.1％～5％

Cr₂O₃????????????????????0.1％～5％

(2)將所稱取的原料充分混合，制成混合料；

(3)將石英坩堝放入溫度為1220℃的電爐中，預熱15分鐘；

(4)將混合料加入石英坩堝中，在1220℃的熔制溫度下熔制，保溫2.5個小時；

(5)將熔化后的玻璃液倒入壓片機壓成薄片或者倒入冷水中水淬或澆鑄成一定的形狀；

(6)球磨、過篩、檢測、包裝。

4.根據權利要求3所述的用于電子器件封接的無鉛氧化鉍焊料玻璃的制備方法，其特征在于：所述步驟(5)無鉛氧化鉍焊料玻璃壓制成所需要的形狀：條狀、柱狀、平板裝、粉狀。

5.根據權利要求3所述的用于電子器件封接的無鉛氧化鉍焊料玻璃的制備方法，其特征在于：無鉛氧化鉍焊料玻璃的熱膨脹系數60～100×10^-7/℃，燒成溫度為500℃-570℃，熔融溫度為500℃-600℃，適用于玻璃、陶瓷、金屬、半導體的封接。