[發(fā)明專利]金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810205383.0
• 申請日: 2008-12-31
• 公開（公告）號: CN101770952A
• 公開（公告）日: 2010-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖德元
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/08;H01L27/04;H01L27/092;H01L23/522
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極，位于柵極兩側(cè)的側(cè)墻及 位于柵極兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源/漏極延伸區(qū)；

在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)分別定義源極區(qū)及沿位線方向互相平行的至少 兩個漏極區(qū)；

向源極區(qū)和漏極區(qū)注入離子，形成源極和至少兩個漏極；

于半導(dǎo)體襯底上形成層間絕緣層，且層間絕緣層覆蓋柵極；

在層間絕緣層內(nèi)形成分別與源極、柵極及漏極連通的導(dǎo)電插塞，各漏極上 分別對應(yīng)連接有導(dǎo)電插塞。

2.如權(quán)利要求1所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，向漏極區(qū)注入離子，形成第一漏極和第二漏極。

3.如權(quán)利要求1所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，向漏極區(qū)注入離子，形成第一漏極、第二漏極和第三漏極。

4.如權(quán)利要求1所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，所述MOS晶體管的源/漏極延伸區(qū)導(dǎo)電類型為n型，注入離子是n型 離子。

5.如權(quán)利要求4所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，所述n型離子為磷離子或砷離子。

6.如權(quán)利要求1所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，所述MOS晶體管的源/漏極延伸區(qū)導(dǎo)電類型為p型，注入離子是p型 離子。

7.如權(quán)利要求6所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，所述p型離子為硼離子。

8.如權(quán)利要求1所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，在形成層間絕緣層之前，還包括：

在源極區(qū)及漏極區(qū)的半導(dǎo)體襯底上及柵極上形成接觸層；

再于漏極區(qū)之間形成隔離層。

9.如權(quán)利要求8所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，所述接觸層材料為自對準多晶硅化物。

10.如權(quán)利要求8所述金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在 于，所述隔離層為硅化金屬阻止區(qū)。

11.一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底，位于半導(dǎo)體襯 底上的柵極，位于柵極兩側(cè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源漏極延伸區(qū)，位于柵極兩側(cè) 半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源極和漏極，所述源極和漏極比源/漏延伸區(qū)深度深，其特 征在于，漏極至少有兩個，且沿位線方向互相平行，各漏極上分別對應(yīng)連 接有導(dǎo)電插塞。