[發明專利]掩膜只讀存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 200810204976.5
• 申請日: 2008-12-30
• 公開（公告）號: CN101465326A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 董耀旗;孔蔚然;李榮林;李棟;徐愛斌
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8246
• 分類號: H01L21/8246
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，包括：

提供具有存儲單元區和外圍電路區的半導體襯底；

在半導體襯底上形成未經摻雜的柵極物質層；

刻蝕柵極物質層，分別于存儲單元區和外圍電路區形成柵極陣列和邏輯晶 體管柵極；

依次沉積第一氧化硅層與第一氮化硅層；

在存儲單元區的柵極陣列之間填充介質層；

沉積第二氮化硅層；

沉積第二氧化硅層；

進行氧化硅和氮化硅的刻蝕，在外圍電路區形成柵極側墻，并去除存儲單 元區的第二氧化硅層、第二氮化硅層和柵極陣列上的第一氮化硅層；

對存儲單元區的柵極陣列進行柵極摻雜；

在外圍電路區進行邏輯晶體管的源、漏離子注入，其中所述對存儲單元區 的柵極陣列進行柵極摻雜是在該源、漏離子注入的同時完成的。

2.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，在完成 柵極摻雜后還包括：

在存儲單元區寫入數據；

在外圍電路區無需形成金屬硅化物的邏輯晶體管上形成阻擋層；

在存儲單元區的柵極陣列上形成金屬硅化物，并在外圍電路區未形成金屬 硅化物的邏輯晶體管的柵極和源、漏區域上形成金屬硅化物。

3.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述于 存儲單元區寫入數據的過程包括：

對需要寫入數據0的存儲單元進行重摻雜離子注入；

對需要寫入數據1的存儲單元不進行離子注入。

4.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述阻 擋層為氧化硅層。

5.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金 屬硅化物為鈦硅化物或鈷硅化物。

6.根據權利要求2所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金 屬硅化物的形成過程包括：

依次濺射一金屬和一金屬氮化物；

進行第一次高溫熱處理，以形成金屬硅化物，所述第一次高溫熱處理的溫 度為530度，時間為30秒；

濕法刻蝕去除未反應的所述金屬和所述金屬氮化物；

進行第二次高溫熱處理，以降低金屬硅化物的阻值，所述第二次高溫熱處 理的溫度為866度，時間為30秒。

7.根據權利要求6所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述金 屬為鈷，且所述金屬氮化物為氮化鈦。

8.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述柵 極陣列之間所填充的介質層由氧化硅構成。

9.根據權利要求8所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述柵 極陣列之間介質層的填充過程包括：

于整個半導體襯底上沉積氧化硅，且該氧化硅填充于柵極陣列之間并高于 柵極陣列；

化學機械拋光所述氧化硅；

保留柵極陣列之間的氧化硅，并去除柵極陣列之上和外圍電路區的氧化硅。

10.根據權利要求1所述的掩膜只讀存儲器的制造方法，其特征是，所述柵 極物質層包括柵極氧化層與未經摻雜的多晶硅層。