[發(fā)明專利]太陽能電池的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810204622.0
• 申請日: 2008-12-15
• 公開（公告）號: CN101752455A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 肖德元
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括步驟：

在單晶襯底上沉積多晶硅層；

從多晶硅層一側向單晶襯底上進行離子注入，在所述單晶襯底內形成空 洞；

通過離子注入在所述多晶硅層內形成相互接觸的P型多晶硅層和N型多 晶硅層；

在所述多晶硅層遠離所述單晶襯底的一側上形成第一電極；

對所述單晶襯底和多晶硅層進行熱退火；

剝離所述單晶襯底；

通過等離子刻蝕去除多晶硅層上殘留的單晶襯底材料，使多晶硅層表面 粗糙化；

在剝離了單晶襯底的多晶硅層遠離所述第一電極的一側上形成第二電極 結構。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述從多 晶硅層一側向單晶襯底上進行離子注入的離子為氫離子和/或氦離子。

3.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述熱退 火在氫氣的氛圍中進行。

4.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述熱退 火的溫度為300℃至900℃，熱退火時間為10秒至60分鐘。

5.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述熱退 火的溫度為300℃至400℃，熱退火時間為30秒至2分鐘。

6.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述單晶 襯底為單晶硅襯底。

7.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述P型 多晶硅層與單晶襯底接觸。

8.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：在單晶襯 底上沉積多晶硅層的方法為物理氣相沉積法。

9.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述多晶 硅層的厚度為1μm至10μm。

10.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述空 洞距離單晶襯底與多晶硅層界面為1nm至100nm。

11.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述從 多晶硅層一側向單晶襯底上進行離子注入的離子為氫離子，注入氫離子的能 量為800KeV至8MeV，劑量為1E15/cm²至1E17/cm²。

12.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：形成P 型多晶硅層所注入的離子為硼離子或二氟化硼離子。

13.如權利要求12所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：注入 硼離子或二氟化硼離子的能量為100KeV至1MeV，劑量為1E15/cm²至 1E16/cm²。

14.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：形成n 型多晶硅層所注入的離子為砷離子或磷離子。

15.如權利要求14所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：注入 砷離子或磷離子的能量為400KeV至2MeV，劑量為1E15/cm²至1E16/cm²。

16.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第 一電極為鋁電極。

17.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第 一電極的厚度為20μm至50μm。

18.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成第 二電極結構具體包括步驟：

在所述多晶硅層遠離所述第一電極的一側上沉積鈍化層；

圖形化所述鈍化層，形成溝槽；

在鈍化層表面以及所述溝槽內形成電鍍種子層；

形成暴露所述溝槽的光刻膠層；

在所述溝槽內電鍍第二電極材料至至少填滿所述溝槽；

去除光刻膠層和所述鈍化層表面的電鍍種子層。

19.如權利要求18所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述 第二電極材料為銀。