[發明專利]高導電率高硅鋁基合金及其制備方法

無效

• 申請號: 200810204594.2
• 申請日: 2008-12-15
• 公開（公告）號: CN101456122A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 嚴彪;安建軍
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: B23P17/00
• 分類號: B23P17/00;B22D23/00;B22F3/20;C22C1/03;C22C21/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 許亦琳;余明偉

1.一種制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，包括如下步驟：

a、用純Al、Si、M合金熔煉得到預制合金Al-aSi-bM，其中，M為稀土，5≤a≤60， 0.1≤b≤10；

b、將得到的預制合金Al-aSi-bM放入真空感應熔煉爐中熔煉，熔煉完畢，再用氮-氬混 合氣體保護將熔融態Al-aSi-bM母合金噴射成型；

c、將噴射成型態Al-aSi-bM合金放入熱擠壓機中擠壓成型；

d、對熱擠壓后得到的Al-aSi-bM合金進行多道次冷軋。

2.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，步驟a中，M選 取的稀土元素為混合稀土，主要合金元素Ce占混合稀土質量的40%以上。

3.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，步驟b中，感應熔 煉采用中頻感應加熱，加熱功率為5～20kW，溫度為1000-1200℃。

4.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，步驟b中，噴射成 型設備采用雙層非限制式氣流霧化噴嘴。

5.如權利要求4所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，所述噴射成型設備 的噴嘴直徑為3-4mm、熔體質量流率為6～8kg/min。

6.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，步驟b中，保護氣 體壓強為0.6-0.8MPa，真空感應熔煉爐內的真空度為10^-3~10^-4Pa。

7.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，所述的步驟c中， Al-aSi-bM合金粉末擠壓溫度為300~310℃，擠壓載荷為200~400MP，擠壓時間為3~4h， 擠壓次數為1~5次。

8.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，所述的步驟c為， 先逐步加壓到200~400MP穩定的壓力，然后升溫至粉末熔點溫度的50%-60%處熱壓， 保溫3~4個小時后降溫冷軋。

9.如權利要求1所述制備高導電率高硅鋁基合金的方法，其特征在于，所述的步驟d中， 室溫下先逐步壓至70~150KN穩定的壓力，維持1~2個小時，然后撤掉壓力。

10.一種高導電率高硅鋁基合金，由權利要求1-9中任一權利要求所述制備高導電率高 硅鋁基合金的方法制得。