[發明專利]制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的方法及設備

無效

• 申請號: 200810204187.1
• 申請日: 2008-12-09
• 公開（公告）號: CN101752230A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 陳科;張羿
• 申請（專利權）人: 上海廣電電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于，具體步驟如下：

1)在一真空腔內設置電子槍、電子束聚焦電極和電場偏轉電極；

2)將沉積有非晶硅薄膜的基板去氫處理后放入真空腔；

3)對真空腔抽真空，使其真空度達到1×10^-3Pa；

4)啟動電子槍，使其發射電子束，并施加陽極電壓對電子束進行加速，同時利用電子束聚焦電極將電子束聚焦至基板的局部非晶硅薄膜上，使該處非晶硅晶化；

5)利用電場偏轉電極控制電子束左右偏轉，使其左右向掃描基板的非晶硅薄膜；

6)前后向移動基板，然后重復步驟5)至6)，直至電子束掃描完整個基板上的非晶硅薄膜，使其晶化為微晶硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述電子束的功率密度在1000w/cm²至3500w/cm²之間。

3.根據權利要求1所述的制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述非晶硅薄膜晶化為微晶硅薄膜后，其晶粒尺寸在5納米至2微米之間。

4.一種制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的設備，其特征在于：包括設置于真空腔內的電子槍、電子束聚焦電極和電場偏轉電極，所述電子槍用于發射電子束，所述電子束聚焦電極用于將電子束聚焦于被加工工件上，所述電場偏轉電極用于控制電子束偏轉，使其往返掃描被加工工件。

5.根據權利要求4所述的制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的設備，其特征在于：所述電子束聚焦裝置是電聚焦器或磁聚焦器。

6.根據權利要求4所述的制造薄膜晶體管的微晶硅薄膜的設備，其特征在于：所述電場偏轉裝置是磁場偏轉器或電場偏轉器。