[發(fā)明專利]納米蒙脫土表面大氣壓、常溫等離子體改性處理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810204057.8
• 申請日: 2008-12-04
• 公開（公告）號: CN101428810A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張迎晨;吳紅艷;邱夷平
• 申請（專利權(quán)）人: 東華大學(xué);中原工學(xué)院
• 主分類號: C01B33/44
• 分類號: C01B33/44
• 代理公司: 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 黃志達(dá);謝文凱

1.納米蒙脫土表面大氣壓、常溫等離子體改性處理方法，包括：

將納米蒙脫土置于等離子體處理設(shè)備的專用傳輸裝置上，在大氣壓，開放環(huán)境下，直接將等離子體噴射到納米蒙脫土表面，使納米蒙脫土在等離子體氛圍中運(yùn)動，處理功率為10W-5000W，時間為0.01s-6000s，產(chǎn)生納米蒙脫土表面改性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米蒙脫土表面大氣壓、常溫等離子體改性處理方法，其特征在于：所述的等離子體選自氦氣、氬氣或功能性氣體中的一種或幾種，其中氦氣、氬氣摩爾比為50％-99.99％，功能性氣體為0.001～30％，同時流經(jīng)等離子體形成區(qū)形成等離子體氛圍。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米蒙脫土表面大氣壓、常溫等離子體改性處理方法，其特征在于：所述的氦氣或氬氣的純度為99.99％。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米蒙脫土表面大氣壓、常溫等離子體改性處理方法，其特征在于：所述的功能性氣體為SO₂、氨氣、氧氣、氫氣、氮?dú)狻⑺姆肌⒍趸肌⒓淄镃H₄、乙烷C₂H₆、丙烷C₃H₈、丁烷C₄H₁₀、戊烷C₅H₁₂、己烷C₆H₁₄、庚烷C₇H₁₆、辛烷C₈H₁₈、壬烷C₉H₂₀、癸烷C₁₀H₂₂、十一烷C₁₁H₂₄、十二烷C₁₂H₂₆、十三烷C₁₃H₂₈、乙烯C₂H₄、丙烯C₃H₆、丁烯C₄H₈、戊烯C₅H₁₀、己烯C₆H₁₂、丙二烯C₃H₄、丁二烯C₄H₆、異戊二烯C₅H₈、己三烯C₆H₈、乙炔C₂H₂、丙炔C₃H₄、丁炔C₄H₆、戊炔C₅H₈、己炔C₆H₁₀、庚炔C₇H₁₂、辛炔C₈H₁₄、壬炔C₉H₁₆、癸炔C₁₀H₁₈、十一炔C₁₁H₂₀、四氟乙烯和硅烷、各種硅氧烷氣體、丙烯酸，甲基丙烯酸的蒸汽或它們組合氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1—4中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于：所述的在噴射等離子體氛圍前提下將納米蒙脫土表面按不同要求的需求進(jìn)行表面改性。

6.根據(jù)權(quán)利要求1—4中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于：所述的改性納米蒙脫土應(yīng)用于高分子材料改性、高分子復(fù)合材料改性以及纖維。