[發明專利]一種絕緣柵雙極晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200810203921.2
• 申請日: 2008-12-03
• 公開（公告）號: CN101752415A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 龔大衛;邵凱
• 申請（專利權）人: 上海芯能電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種絕緣柵雙極晶體管，包括金屬層、P+區、N-區、P區、N+區、柵氧層及硅柵層，其特征在于，該絕緣柵雙極晶體管還包括包含N型硅鍺合金的場終止層。

2.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，該場終止層還包括N型雜質。

3.根據權利要求2所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，該場終止層中鍺離子的濃度為1％-30％，注入能量為20KeV-1MeV。

4.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，該場終止層位于該P+區和該N-區之間。

5.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，該絕緣柵雙極晶體管是用硅晶片制成，P區和N+區位于硅晶片的正面，P+區和場終止層位于硅晶片的背面。

6.一種制造絕緣柵雙極晶體管的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

第一步，提供基材，在該基材上形成柵氧層和硅柵層；

第二步，在該基材的正面形成P區及N+區，并在正面制作金屬電極；

第三步，在該基材的背面注入鍺(germanium，Ge)形成硅鍺合金；

第四步，退火形成包含N型硅鍺合金的場終止層；

第五步，注入硼離子并低溫退火激活形成P+區和陽極；及

第六步，背面蒸發形成金屬層，制成絕緣柵雙極晶體管。

7.根據權利要求6所述的制造的方法，其特征在于，在第三步中，在該基材的背面還注入N型雜質。

8.根據權利要求7所述的制造的方法，其特征在于，該場終止層還包括N型雜質。

9.根據權利要求8所述的制造的方法，其特征在于，在第四步中，用低溫固相外延結合激光退火形成GeSi晶體層，并激活注入的N型雜質。

10.根據權利要求9所述的制造的方法，其特征在于，該場終止層中鍺離子的濃度為1％-30％，注入能量為20KeV-1MeV。