[發明專利]多晶摻鎢氧化錫透明導電氧化物薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 200810203477.4
• 申請日: 2008-11-27
• 公開（公告）號: CN101413099A
• 公開（公告）日: 2009-04-22
• 發明（設計）人: 張群;黃延偉;李桂峰
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/22;C23C14/54;C23C14/58
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 張 磊

1.一種多晶摻鎢氧化錫透明導電氧化物薄膜，其特征在于該摻鎢二氧化錫SnO₂:W薄膜由室溫脈沖等離子體沉積方法和后熱處理技術制備獲得，薄膜厚度為100nm-160nm，載流子遷移率在66.4cm²/V·s以上，自由載流子濃度為1.38×10²⁰cm^-3，最低電阻率為6.84×10^-4Ω·cm，可見光和近紅外平均透射率分別為85％和90％。

2.一種多晶摻鎢氧化錫透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征是采用脈沖等離子體沉積技術，具體步驟如下：以摻鎢二氧化錫粉末經研磨混合、壓片、燒結形成的塊體材料為靶材，其中鎢的摻雜含量為1wt％～5wt％，以石英玻璃為基板，基板溫度為室溫，工作壓強為2.4Pa～3.2Pa的純氬氛圍下，沉積電流3.6mA～3.9mA，沉積電壓-15kV-18kV，沉積時間20～100分鐘到的薄膜經600℃～1000℃、2～3小時退火處理，即可獲得具有多晶結構的SnO₂:W薄膜。

3.根據權利要求2所述的多晶透明導電氧化物薄膜的制備方法，其特征是基板溫度為20-25℃。