[發明專利]層間介電層、互連結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200810202961.5
• 申請日: 2008-11-18
• 公開（公告）號: CN101740473A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 程永亮;王娉婷;高關且;楊承;朱虹;吳金剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/316;H01L27/146;H01L23/532
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種CMOS圖像傳感器中的層間介電層的制造方法，包括：

提供半導體襯底；

在半導體襯底上形成介電層；

將介電層減薄至預定厚度；

在減薄后的介電層上依次形成抗反射層和第二介電層；

其特征在于，所述介電層內不含有氟；

所述半導體襯底上還依次形成有金屬粘接層和金屬互連線，減薄所述 金屬互連線厚度范圍到1800至減薄所述金屬粘接層厚度范圍 到100至所述介電層的形成步驟在金屬粘接層和金屬互連線的 形成步驟之后；減薄所述介電層的厚度范圍到

2.根據權利要求1所述的層間介電層的制造方法，其特征在于，所述介 電層包括不含氟的高密度氧化物層，所述高密度氧化物層采用高密度 等離子體化學氣相沉積裝置形成，所述高密度氧化物層的厚度范圍為 4500至

3.根據權利要求2所述的層間介電層的制造方法，其特征在于，所述介 電層還包括位于所述高密度氧化物層上的不含氟的硅酸鹽氧化物層， 所述硅酸鹽氧化物層的厚度范圍為8000至

4.根據權利要求1所述的層間介電層的制造方法，其特征在于，所述將 介電層減薄包括化學機械拋光，所述化學機械拋光至介電層的厚度范 圍為3500至

5.根據權利要求1或4所述的層間介電層的制造方法，其特征在于，所 述將介電層減薄還包括回蝕。

6.根據權利要求1所述的層間介電層的制造方法，其特征在于，所述第 二介電層為氧化硅，所述抗反射層為氮氧化硅。

7.一種如權利要求1至6中任一項所制造的CMOS圖像傳感器中的層間 介電層。

8.一種CMOS圖像傳感器中的互連結構的制造方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有金屬粘接層和金屬互 連線；

在半導體襯底上形成介電層；

將介電層減薄至預定厚度；

在減薄后的介電層上依次形成抗反射層和第二介電層；

在第二介電層、抗反射層、以及減薄后的介電層內形成開口并暴露出 互連金屬線；

在開口內填充導電材料；

在抗反射層上對著開口位置形成第二金屬互連線；

其特征在于，所述介電層內不含有氟；

減薄所述金屬互連線厚度范圍到1800至減薄所述金屬粘接層 厚度范圍到100至減薄所述介電層的厚度范圍到

9.根據權利要求8所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述介電 層包括不含氟的高密度氧化物層，所述高密度氧化物層采用高密度等 離子體化學氣相沉積裝置形成，所述高密度氧化物層的厚度范圍為 4500至

10.根據權利要求9所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述介電 層還包括位于所述高密度氧化物層上的不含氟的硅酸鹽氧化物層，所 述硅酸鹽氧化物層的厚度范圍為8000至

11.根據權利要求10所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述將介 電層減薄包括化學機械拋光，所述化學機械拋光至介電層的厚度范圍 為3500至

12.根據權利要求8或11所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述 將介電層減薄還包括回蝕。

13.一種如權利要求8至11中任一項所制造的CMOS圖像傳感器中的互連 結構。