[發(fā)明專(zhuān)利]溝槽填充方法及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200810202836.4
• 申請(qǐng)日: 2008-11-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101740457A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡亞威;劉明源
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/762
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/762;H01L21/31
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種溝槽填充方法，包括：使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積對(duì)溝槽進(jìn)行填充，其特征在于，控制形成填充物的反應(yīng)氣體的氣體流量，使得溝槽底部填充物的沉積量大于溝槽側(cè)壁的填充物的沉積量。

2.如權(quán)利要求1所述的溝槽填充方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體的流量根據(jù)下述方法獲得：

選取與實(shí)際反應(yīng)晶圓具有相同溝槽結(jié)構(gòu)的試片；

使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積的方法在溝槽內(nèi)填充所述填充物，并檢測(cè)當(dāng)前氣體流量下溝槽填充物是否出現(xiàn)空洞；

若出現(xiàn)空洞，則繼續(xù)等比例降低反應(yīng)氣體流量，并重復(fù)上述填充步驟，直到填充物無(wú)空洞或空洞大小符合工藝規(guī)格；

若無(wú)空洞或空洞大小符合工藝規(guī)格，則記錄該氣體流量，繼續(xù)等比例降低反應(yīng)氣體流量，獲得在滿足工藝時(shí)間和成本前提下的最小反應(yīng)氣體流量，記錄所述填充物無(wú)空洞或空洞大小符合工藝規(guī)格時(shí)對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體流量范圍。

3.如權(quán)利要求1所述的溝槽填充方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體包括硅烷和氧氣。

4.如權(quán)利要求3所述的溝槽填充方法，其特征在于，所述硅烷的流量為51sccm，所述氧氣的流量為100sccm。

5.如權(quán)利要求1所述的溝槽填充方法，其特征在于，還包括：在進(jìn)行高密度等離子體化學(xué)氣相沉積時(shí)，通入僅覆蓋反應(yīng)晶圓背面的流通氣體，對(duì)反應(yīng)晶圓降溫。

6.如權(quán)利要求5所述的溝槽填充方法，其特征在于，通入僅覆蓋反應(yīng)晶圓背面的流通氣體，對(duì)反應(yīng)晶圓背面降溫包括：通入氦氣，使得晶圓溫度為380-400℃。

7.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，包括形成溝槽，使用高密度等離子體化學(xué)氣相沉積對(duì)溝槽進(jìn)行填充，以及平坦化所述填充物形成隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，控制形成填充物的反應(yīng)氣體的氣體流量，使得溝槽底部填充物的沉積量大于溝槽側(cè)壁的填充物的沉積量。

8.如權(quán)利要求7所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述反應(yīng)氣體包括硅烷和氧氣，所述硅烷的流量為51sccm，所述氧氣的流量為100sccm。

9.如權(quán)利要求7所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，還包括：在進(jìn)行高密度等離子體化學(xué)氣相沉積時(shí)，通入僅覆蓋反應(yīng)晶圓背面的流通氣體，對(duì)反應(yīng)晶圓降溫。

10.如權(quán)利要求9所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，通入僅覆蓋反應(yīng)晶圓背面的流通氣體，對(duì)反應(yīng)晶圓背面降溫，包括：通入氦氣，使得晶圓溫度為380-400℃。