[發(fā)明專利]一種分子印跡聚合物/碳納米管/基底電極修飾電極及其應用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200810202655.1
• 申請日: 2008-11-13
• 公開（公告）號: CN101738423A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設計）人: 施國躍;劉燁;曲云鶴;周天舒;孫倩;楊勤燕;梁瑩;金利通
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G01N27/36;G01N27/333
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 白益華

1.一種修飾電極，其用于選擇性檢測硝基苯類化合物，所述電極包括：

一基底電極；

一涂覆于所述基底電極表面的碳納米管(CNTs)膜；

其特征在于，所述電極還包括：

一涂覆于所述碳納米管膜表面的分子印跡聚合物(MIP)膜。

2.如權利要求1所述的電極，其特征在于，所述分子印跡聚合物膜為以1，3-二硝基苯分子為模板的分子印跡聚合物膜。

3.如權利要求2所述的電極，其特征在于，所述分子印跡聚合物膜采用如下方法制得：以待檢測化合物為模板，以丙烯酰胺為功能單體，以二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)為交聯(lián)劑制得。

4.如權利要求1所述的電極，其特征在于，

所述基底電極是玻碳電極；和/或

所述碳納米管膜選自：多壁碳納米管。

5.一種如權利要求1所述的電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)將碳納米管涂覆到基底電極的表面，形成表面覆蓋有碳納米管膜的電極；

(b)將分子印跡聚合物膜涂覆到所述步驟(a)的表面覆蓋有碳納米管膜的電極，形成所述修飾電極。

6.一種如權利要求1所述的電極的用途，其特征在于，用于選擇性檢測待測樣品中的硝基化合物種類或其含量。

7.如權利要求6所述的用途，其特征在于，所述的硝基化合物選自：2，4，6-三硝基甲苯(TNT)、1，3，5-三硝基苯(TNB)、2，4-二硝基甲苯(DNT)、1.3-二硝基苯(DNB)或其組合。

8.一種選擇性檢測硝基苯類化合物用電化學系統(tǒng)，其特征在于，所述的電化學系統(tǒng)中含有：

一工作電極，所述的工作電極是權利要求1所述的電極。

9.如權利要求8所述的電化學系統(tǒng)，其特征在于，所述的電化學系統(tǒng)中還含有：

一參比電極；和/或

一對電極。

10.一種檢測樣品中硝基化合物的方法，其特征在于，所述方法包括：

將定量的待測樣品加入到權利要求8所述的電化學系統(tǒng)中，

采用方波伏安法(SWV)為檢測方法，調節(jié)電位窗口E_dep＝-0.1～-1.0V，

分析各硝基化合物還原峰的數(shù)量及其還原峰的大小，從而得知所述待測樣品中硝基化合物的種類及含量。