[發明專利]一種干法貼膜工藝無效
| 申請號： | 200810202280.9 | 申請日： | 2008-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN101738865A | 公開（公告）日： | 2010-06-16 |
| 發明（設計）人： | 李德君 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 干法貼膜 工藝 | ||
1.一種干法貼膜工藝，用于光刻制程中在晶圓片表面形成光刻膜，所述工藝流程包括以下步驟：
(1)提供晶圓，所述晶圓上具有待光刻的半導體結構，在晶圓片表面涂布一層鈍性粘合劑形成粘合劑層；
(2)將晶圓片送入加熱爐中，加熱烘干粘合劑；
(3)將晶圓片送入貼膜機進行碾壓貼膜；
(4)將貼好膜的晶圓片送入固化爐中干燥、堅膜。
2.如權利要求1所述的干法貼膜工藝，其特征在于步驟(1)使用旋轉涂覆將晶圓片自轉，在晶圓片表面均勻涂布粘合劑。
3.如權利要求2所述的干法貼膜工藝，其特征在于所述粘合劑為液態粘合劑，其主要化學成分為：水解三乙酰氧基乙烯基硅烷(VTAS)0.1～1％；1-甲氧基-2-丙醇＞98％。
4.如權利要求2所述的干法貼膜工藝，其特征在于旋轉涂覆時，晶圓片以1500rpm的速度自轉，涂布粘合劑150秒。
5.如權利要求1所述的干法貼膜工藝，其特征在于步驟(2)中將涂覆完的晶圓片送入加熱爐以70～120攝氏度溫度加熱烘干2～5分鐘。
6.如權利要求1所述的干法貼膜工藝，其特征在于步驟(3)將晶圓片送入貼膜機的晶圓臺先加熱至55～65攝氏度，然后將壓膜的滾輪加熱到65～75攝氏度，將所需厚度的干膜碾壓成型至晶圓表面。
7.如權利要求1所述的干法貼膜工藝，其特征在于步驟(4)將貼好膜的晶圓放到固化爐內以90～110攝氏度溫度加熱堅膜5～15分鐘，使粘合層與干膜及晶圓片緊密填充。
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