[發明專利]去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法無效
| 申請號： | 200810202117.2 | 申請日： | 2008-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN101727025A | 公開（公告）日： | 2010-06-09 |
| 發明（設計）人： | 劉煥新 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;B08B3/02;B08B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201210 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 光刻 殘留 刻蝕 反應物 顆粒 方法 | ||
1.一種去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底上依次形成待刻蝕層和圖案化光刻膠層；
以光刻膠層為掩膜，刻蝕待刻蝕層；
灰化法去除光刻膠層；
將帶有各膜層的半導體襯底放入溶液噴射循環池內，用第一溶液噴射去除光刻膠殘留，同時帶有光刻膠殘留的第一溶液從溶液噴射循環池內流出；
通入第二溶液噴射去除刻蝕過程中殘留的刻蝕反應物顆粒，同時帶有刻蝕反應物顆粒的第二溶液從溶液噴射循環池內流出。
2.根據權利要求1所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，所述噴射循環池為FSI?International廠商生產的型號為ZETA?300。
3.根據權利要求1所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，第一溶液噴射去除光刻膠殘留所需溫度為140℃～160℃，所需時間為5分鐘～7分鐘。
4.根據權利要求3所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，所述第一溶液為硫酸和雙氧水的混合溶液。
5.根據權利要求4所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，所述硫酸和雙氧水的比例為6∶1。
6.根據權利要求1所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，第二溶液噴射去除刻蝕過程中殘留的刻蝕反應物顆粒所需溫度為50℃～70℃，所需時間為5分鐘～7分鐘。
7.根據權利要求6所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，所述第二溶液為氨水、雙氧水和水的混合溶液。
8.根據權利要求7所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，所述氨水、雙氧水和水的比例為1∶1∶5。
9.根據權利要求1所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，通入第一溶液與通入第二溶液之間還包括步驟：
通入去離子水，以去除第一溶液在待刻蝕層上產生的化學殘留，同時帶有化學殘留的去離子水從溶液噴射循環池內流出。
10.根據權利要求1所述去除光刻膠殘留及刻蝕反應物顆粒的方法，其特征在于，去離子水去除化學殘留所用時間為9分鐘～12分鐘。
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