技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，且特別涉及一種清洗晶圓的方法。

背景技術(shù)

在集成電路工藝技術(shù)中，最頻繁的工藝步驟就是晶圓清洗步驟，約占了全部工藝步驟的30％，因此其重要性自然是相當(dāng)?shù)母摺６A清洗的主要目的是去除晶圓表面的雜質(zhì)顆粒與污染物例如有機(jī)化合物、金屬雜質(zhì)，并減少微粒附著。由于導(dǎo)電性雜質(zhì)顆粒的污染可能會(huì)造成半導(dǎo)體元件p-n接面的漏電、縮減少數(shù)載子的生命期以及降低元件柵極氧化層的崩潰電壓，微粒的附著則會(huì)影響微影工藝圖案轉(zhuǎn)移的真實(shí)性，甚至導(dǎo)致電路結(jié)構(gòu)短路等等。因此，在晶圓清洗工藝中，必須有效的去除附著于晶圓表面的有機(jī)化合物、金屬雜質(zhì)以及微粒，如何提高晶圓清洗的效率進(jìn)而提高工藝合格率是非常重要的。

刷洗工藝是目前業(yè)界常用來(lái)去除附著于晶圓表面微粒的方法。公知的刷洗工藝是將晶圓片置于刷洗機(jī)內(nèi)，利用大量的去離子水(壓力為12MPa至20MPa左右)沖洗晶圓表面。同時(shí)并利用刷洗機(jī)內(nèi)的刷頭刷洗晶圓片表面，如此可以有效的清除附著于晶圓表面的粒子。在沖洗步驟完成后，利用熱氮?dú)膺M(jìn)行干燥處理，將晶圓吹干，其中熱氮?dú)獾臏囟冉橛?0℃至60℃之間。有機(jī)雜質(zhì)污染可通過(guò)有機(jī)溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來(lái)去除，常用的超聲波清洗工藝一般都包含如下步驟：首先，將晶圓在含有清洗試劑的溶液中進(jìn)行超聲波清洗，然后采用去離子水清洗晶圓表面殘留的清洗試劑，也可以采用刷洗和去離子水相結(jié)合的方法清洗晶圓表面殘留的清洗試劑，最后利用惰性氣體進(jìn)行烘干處理。

在晶圓進(jìn)行背面研磨時(shí)，通常會(huì)在晶圓的正面粘貼保護(hù)晶圓正面的保護(hù)膜，當(dāng)研磨結(jié)束需要去除保護(hù)膜時(shí)，部分保護(hù)膜會(huì)膠粘在晶圓上面，特別是晶圓的接觸墊(pad)邊緣或者是擦洗線(scrubber?line)處都容易產(chǎn)生殘?jiān)?，這些殘?jiān)舨患皶r(shí)有效地被去除就會(huì)造成晶圓的報(bào)廢，然而現(xiàn)有技術(shù)的刷新工藝由于保護(hù)膜難以被去離子水沖洗掉因此很難及時(shí)有效地去除這些殘?jiān)?/p>

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出一種去除晶圓正面膠粘殘?jiān)姆椒ǎ淠軌蛴行У厝コA背面研磨時(shí)粘貼在晶圓正面的保護(hù)膜留下的膠粘殘?jiān)?，防止晶圓報(bào)廢并不會(huì)對(duì)鋁連接區(qū)域以及平坦化區(qū)域造成影響。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種去除晶圓正面膠粘殘?jiān)姆椒ǎ浒ㄏ铝胁襟E：

將晶圓送至第一腔室并使用ACT940溶液進(jìn)行第一設(shè)定時(shí)間的清洗；

將晶圓送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液進(jìn)行第二設(shè)定時(shí)間的清洗，以清洗晶圓上的ACT940溶液；

將晶圓送至第三腔室進(jìn)行快速傾卸沖洗，以清洗晶圓上的氮甲基吡咯烷酮溶液；

將晶圓送至第四腔室進(jìn)行第三設(shè)定時(shí)間的干燥處理。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提出一種去除晶圓正面膠粘殘?jiān)姆椒?，其包括下列步驟：

將晶圓送至第一ACT940溶液腔室進(jìn)行第一清洗設(shè)定時(shí)間的清洗；

將晶圓送至第二ACT940溶液腔室進(jìn)行第二清洗設(shè)定時(shí)間的清洗；

將晶圓送至氮甲基吡咯烷酮溶液腔室進(jìn)行第三清洗設(shè)定時(shí)間的清洗，以清洗晶圓上的ACT940溶液；

將晶圓送至快速傾卸沖洗腔室進(jìn)行清洗，以清洗晶圓上的氮甲基吡咯烷酮溶液；

將晶圓送至烘干腔室進(jìn)行烘干設(shè)定時(shí)間的干燥處理。

本發(fā)明提出的去除晶圓正面膠粘殘?jiān)姆椒?，將帶有晶圓背面研磨時(shí)粘貼在晶圓正面的保護(hù)膜膠粘殘?jiān)木A送至腔室內(nèi)部進(jìn)行ACT940溶液清洗，之后分別在不同的腔室內(nèi)部完成氮甲基吡咯烷酮溶液清洗以及快速傾卸沖洗，最后對(duì)晶圓進(jìn)行烘干處理，本發(fā)明能夠有效地去除晶圓正面膠粘的殘?jiān)?，防止晶圓報(bào)廢并不會(huì)對(duì)鋁連接區(qū)域以及平坦化區(qū)域造成影響。

附圖說(shuō)明

圖1所示為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的流程圖。

圖2所示為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的流程圖。

圖3a所示為處理前的晶圓局部放大圖。

圖3b所示為去除晶圓正面膠粘殘?jiān)笸晃恢玫木植糠糯髨D。

具體實(shí)施方式

為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實(shí)施例并配合所附圖式說(shuō)明如下。

本發(fā)明提出一種去除晶圓正面膠粘殘?jiān)姆椒?，其能夠有效地去除晶圓背面研磨時(shí)粘貼在晶圓正面的保護(hù)膜留下的膠粘殘?jiān)?，防止晶圓報(bào)廢并不會(huì)對(duì)鋁連接區(qū)域以及平坦化區(qū)域造成影響。

請(qǐng)參考圖1，圖1所示為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的流程圖。本發(fā)明提出的去除晶圓正面膠粘殘?jiān)姆椒?，其包括下列步驟：

S10：將晶圓送至第一腔室并使用ACT940溶液進(jìn)行第一設(shè)定時(shí)間的清洗；

S20：將晶圓送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液進(jìn)行第二設(shè)定時(shí)間的清洗，以清洗晶圓上的ACT940溶液；