[發明專利]液晶顯示面板及其驅動方法

有效

• 申請號: 200810201203.1
• 申請日: 2008-10-15
• 公開（公告）號: CN101369408A
• 公開（公告）日: 2009-02-18
• 發明（設計）人: 王志軍
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G02F1/1362
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示面板及其驅動方法，特別是涉及一種改善動態殘影的液晶顯示面板及其驅動方法。

背景技術

液晶顯示設備已經成為主流顯示設備，液晶電視發展突飛猛進，液晶顯示器也有較大發展。在液晶顯示器保持特性的情況下，對于顯示動態的畫面會產生動態模糊(motion?blur)的現象。目前主要改善動態模糊現象的技術有插黑(BlackFrame?Insert)、插灰(Gray?Frame?Insert)、ME/MC(Motion?Estimation/MotionCompensation)，但是這些技術都必須把幀掃描頻率加倍，即由原來的60Hz變為120Hz。這樣每條掃描線打開的時間會降低為原來的1/2，即每個像素的充電時間也變為原來的1/2，隨著面板原來越大，充電的時間很難滿足要求，造成顯示質量的下降。

中國專利200610087999.3公開了一種不需要提高幀掃描頻率，而實現插黑的方法。如圖1所示，在每個像素中增加了一個第二薄膜晶體管(TFT)Tr2，其源極連接到公共電壓，其漏極連接到第一薄膜晶體管Tr2的漏極，其柵極和所有同一行像素第二薄膜晶體管的柵極均相連，然后連接到第二掃描芯片2的掃描線(G21、G2、G23......G2m，m為正整數)。在第一掃描芯片1打開第一薄膜晶體管Tr1對液晶電容Clc進行充電，然后關閉。在第一薄膜晶體管Tr1關閉一段時間之后，打開第二薄膜晶體管Tr2，把公共電壓線Com上的公共電壓充入液晶電容Clc，即使得液晶電容兩端的電壓為0。在常黑型顯示器的下，此時顯示的狀態為黑，達到了插黑的目的。但是由于需要增加第二掃描芯片2，增加的成本較高。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種液晶顯示面板及其驅動方法，在不增加幀掃描頻率，不增加掃描芯片的情況下，實現插黑，改善液晶顯示器件動態模糊的現象。

本發明為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種液晶顯示面板包括：

多個像素，m行n列呈矩陣狀分布在液晶顯示面板上，每一行像素包括第一掃描線和第二掃描線，每一列像素包括一數據線，每一像素包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，第一薄膜晶體管的柵極和第一掃描線相連，源極和數據線相連；第二薄膜晶體管的柵極和第二掃描線相連，源極和公共電壓線相連；第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管的漏極和像素電極相連；相鄰多行的第二掃描線相連形成k個顯示區塊，2≤k<m/4，m，n，k為自然數；

掃描芯片，為每一行像素的第一掃描線提供驅動信號；

數據芯片，為每一列像素的數據線提供數據信號；

掃描信號產生電路，為每一個顯示區塊提供驅動信號；

PCB板，為數據芯片提供控制信號以及數據信號，為掃描芯片提供控制信號。

上述液晶顯示面板及其驅動方法，所述掃描信號產生電路設置于所述PCB板上。

本發明為解決上述技術問題還提供一種上述液晶顯示面板的驅動方法，所述驅動方法包括如下步驟：對一幀畫面，第一顯示區塊寫入數據時，掃描信號產生電路打開下一顯示區塊充入公共電壓，依次循環，最后一個顯示區塊寫入數據時，掃描信號產生電路打開第一顯示區塊充入公共電壓。

本發明對比現有技術有如下的有益效果：本發明的液晶顯示面板及其驅動方法在每個像素中增加一個TFT，且把顯示區按照不同行分成k個顯示區塊，每個顯示區塊由掃描信號產生電路驅動實現區塊插黑，改善了動態殘影，提高顯示品質。

附圖說明

圖1是現有液晶顯示面板示意圖。

圖2是本發明液晶顯示面板示意圖。

圖3是圖2中插黑掃描信號波形圖。

圖4是本發明多個顯示區塊連接驅動示意圖。

圖5是本發明實際效果示意圖1。

圖6是本發明實際效果示意圖2。

圖7是本發明實際效果示意圖3。

圖中：

1第一掃描芯片　　　　　　　　2第二掃描芯片　　　　　　　　　3數據芯片

4掃描芯片????????????????????5PCB板?????????????????????????6掃描信號產生電路

7TFT面板?????????????????????11第一顯示區塊????　　　　?????12第二顯示區塊

13第三顯示區塊???????????????14第四顯示區塊?????????????????15第五顯示區塊

16第六顯示區塊???????????????Tr1第一薄膜晶體管???????　　　?Tr2第二薄膜晶體管

具體實施方式